SI1307DL-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：850mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 1A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70-3
- 包装：带卷 (TR)
SI1307DL-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：850mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 1A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70-3
- 包装：带卷 (TR)
SI1307EDL-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：850mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 1A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70-3
- 包装：带卷 (TR)
SI1307EDL-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：850mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 1A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70-3
- 包装：Digi-Reel®
SI1307EDL-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：850mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 1A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70-3
- 包装：剪切带 (CT)
SI1307EDL-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET P-CH G-S 12V SC-70-3
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：12V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：850mA
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：290 毫欧 @ 1A，4.5V
- Id时的Vgs333th444（最大）：450mV @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：290mW
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SC-70，SOT-323
- 供应商设备封装：SC-70-3
- 包装：带卷 (TR)
- RF 混频器 NXP Semiconductors 16-VFQFN 裸露焊盘 IC CRYSTAL OSCILLATOR LNB 16QFN
- 钽 AVX Corporation 1210（3528 公制） CAP TANT 150UF 10V 20% 1210
- TVS - 晶闸管 Bourns Inc. TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引线 SURGE SUPP THYRISTOR 120V TO-92
- FET - 单 Vishay Siliconix SC-70，SOT-323 MOSFET P-CH 12V 850MA SOT323-3
- 线夹和夹具 Richco Plastic Co 68-PLCC LOOP CLAMP W/EYELET GRN 1-1/4"
- 嵌入式 - DSP（数字式信号处理器） Texas Instruments 361-LFBGA IC DSP FIXED-POINT 361NFBGA
- 数据采集 - 数模转换器 Texas Instruments 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC DUAL 8-BIT MLTPLY DAC 20-SOIC
- LED - 分立式 Toshiba 2-迷你型 PLCC LED ORG CLR 605NM MINI PLCC SMD
- RF 混频器 NXP Semiconductors 16-VFQFN 裸露焊盘 IC CRYSTAL OSCILLATOR LNB 16QFN
- 存储器 Fairchild Semiconductor 28-CDIP（0.600"，15.24mm） IC EPROM 512KBIT 120NS 28CDIP
- 嵌入式 - DSP（数字式信号处理器） Texas Instruments 697-BFBGA，FCBGA IC DSP FIXED-POINT 697FCBGA
- 数据采集 - 数模转换器 Texas Instruments 20-SOIC（0.209"，5.30mm 宽） IC DUAL 8-BIT MLTPLY DAC 20-SOP
- LED - 分立式 Toshiba 2-迷你型 PLCC LED ORG CLR 605NM MINI PLCC SMD
- 通孔电阻器 Ohmite TO-264-3，TO-264AA RES THICK FILM 10KOHM 85W TO264
- FET - 单 Vishay Siliconix SC-70，SOT-323 MOSFET P-CH 8V 900MA SC70-3
0755-23612326 
0512-67241533 
0755-83987779 
0755-84507209 
13510998172 
0755-83244680 
19166203057 
010-62962871、 
0755-82798529 
13717008271 
0755-82574045 
15821228847 / 
0755*83682918 
0755-82533534 
19520735817/1 
