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SI2301BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 6V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2301BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 6V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

SI2301BDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 6V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2301BDS-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.2A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫欧 @ 2.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：950mV @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：375pF @ 6V; 功率_最大：700mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SI2301CDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫欧 @ 2.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

SI2301CDS-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：3.1A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：112 毫欧 @ 2.8A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：10nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：405pF @ 10V; 功率_最大：1.6W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：带卷 (TR)

SLF6028T-680MR50
固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR SHIELD PWR 68UH 6028
SFR2500004221FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 4.22K OHM METAL FILM .40W 1%
SI2167-A10-FM
线性 - 视频处理 Silicon Laboratories Inc 28-VFQFN 裸露焊盘 IC DEMOD DVB-T/C/S//S2 48-QFN
RP15-123.3SA/N
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模块（4 引线） CONV DC/DC 15W 9-18VIN 3.3VOUT
RT1206BRD0752K3L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 52.3K OHM 1/4W .1% SMD 1206
S14B-PH-SM4-TB(LF)(SN)
矩形- 接头，公引脚 JST Sales America Inc CONN HEADR PH SIDE 14POS 2MM SMD
SE75PFR-DR0
螺线形绕线，伸缩套管 Panduit Corp SLEEVE EXP FR BLK 0.75" (19.1MM)
SKY73012-11
RF 解调器 Skyworks Solutions Inc 32-TFLGA 裸露焊盘 IC QUADRATURE DEMOD 32-RFLGA
SLF6028T-6R8M1R5-PF
固定式 TDK Corporation 非标准 INDUCTOR SHIELD PWR 6.8UH 6028
RP15-123.3SA-HC
DC DC Converters Recom Power 6-DIP 模块（4 引线） CONV DC/DC 15W 9-18VIN 3.3VOUT
RT1206BRD07549RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 1206（3216 公制） RES 549 OHM 1/4W .1% SMD 1206
S14B-PH-SM4-TB(LF)(SN)
矩形- 接头，公引脚 JST Sales America Inc CONN HEADR PH SIDE 14POS 2MM SMD
SE75PFR-DR10
螺线形绕线，伸缩套管 Panduit Corp SLEEVE EXP FR WHT 0.75" (19.1MM)
SKY73012-11
RF 解调器 Skyworks Solutions Inc 32-TFLGA 裸露焊盘 IC QUADRATURE DEMOD 32-RFLGA
SFR2500004423FR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 442K OHM METAL FILM .40W 1%

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