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SI4435BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 9.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4435BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 9.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4435BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 9.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4435DDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 9.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4435DDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 9.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4435DDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.4A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24 毫欧 @ 9.1A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1350pF @ 15V; 功率_最大：5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

VJ0805Y183KXAAC
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 0.018UF 50V 10% X7R 0805
SG923-0010
RF 评估和开发套件，板 Sagrad Inc 模块 RF EVAL FOR SG901-1091
VJ1206Y392JBGAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 3900PF 1KV 5% X7R 1206
VI-B6J-MV-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 150W
SI4435BDY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
VI-2WF-EV-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 150W
VIPER25LDTR
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 STMicroelectronics 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OFFLINE CONV PWM OVP OCP 16SO
VJ0805Y222KXBBC31
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 2200PF 100V 10% X7R 0805
SGABM20-AV-C300
扎带 - 支座和安装 Panduit Corp 模块 ADH BACK MT WR
VI-B6J-MW
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 36V 100W
VIPER26LDTR
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 STMicroelectronics 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC OFFLINE CONV PWM 800V 16-SOIC
VI-2WF-EV-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 150W
VJ0805Y223KXBBC31
陶瓷 Vishay Vitramon 0805（2012 公制） CAP CER 0.022UF 100V X7R 0805
VJ1210Y273JBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 0.027UF 100V 5% X7R 1210
VJ1206Y393KBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 0.039UF 100V X7R 1206

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