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SI4464DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4464DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4464DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 200V 1.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4464DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4464DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4464DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：200V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：1.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：240 毫欧 @ 2.2A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

RTE0300G03
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
SI4411DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SR151A271KAATR1
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 270PF 100V 10% RADIAL
SI4464DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH D-S 200V 8-SOIC
RT0805CRD072K2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0805（2012 公制） RES 2.20K OHM 1/8W .25% SMD 0805
SI7224DN-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
RT0402CRE0751KL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 51.0KOHM 1/16W .25% SMD 0402
RTE0300G04
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT SEAL 3POS SMD
SH516P6S36
传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft 径向 SHLD MINIMIZER STR EXTENSION
SI4413ADY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC
SR151A2R2DAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 2.2PF 100V RADIAL
RT0402CRE07536RL
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0402（1005 公制） RES 536 OHM 1/16W .25% SMD 0402
SI7224DN-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 双 MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
RTE0300R05
DIP C&K Components SC-75，SOT-416 SWITCH ROTARY SLOT REV SP SILVER
SH562S2S144
传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft 径向 SHIELDED DC MICRO-MIZER

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