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SI4470EY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4470EY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4470EY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4470EY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4470EY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4470EY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH D-S 60V 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫欧 @ 12A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：70nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.85W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SQP500JB-2R4
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 2.4 OHM 5W 5% WIREWOUND
SFV12R-2STE1LF
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI 模块 CONN FPC/FFC 12POS .5MM R/A SMD
SGR-8002DB-SCM
振荡器 - 可编程式 EPSON 14-DIP，4 引线（全尺寸） OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V ST
MS3102R28-16P
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 20POS BOX MNT W/PINS
SI4470EY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 60V 9A 8-SOIC
MS27656T25A19S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 19POS WALL MNT W/SCKT
SQP500JB-36R
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 36 OHM 5W 5% WIREWOUND
T495B156K016ATE800
钽 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 15UF 16V 10% 1411
SFV14R-1STE1LF
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI 模块 CONN FPC/FFC 14POS .5MM R/A SMD
MS3102R28-17S
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 15POS BOX MNT W/SCKT
MS27656T25A19SA
连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 19POS WALL MNT W/SCKT
SQP500JB-470R
通孔电阻器 Yageo 轴向 RES 470 OHM 5W 5% METAL OXIDE
T495B156K016ZTE500
钽 Kemet 1411（3528 公制） CAP TANT 15UF 16V 10% 1411
SGR-8002DC-PCC
振荡器 - 可编程式 EPSON 8-DIP，4 引线（半尺寸） OSCILLATOR CMOS PROG 3.3V 0E
SFV15R-1STE1LF
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI 模块 CONN FPC/FFC 15POS .5MM R/A SMD

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