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SI4500BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A，3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 9.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4500BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A，3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 9.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4500BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A，3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 9.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4500BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A，3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 9.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4500BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A，3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 9.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4500BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.6A，3.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫欧 @ 9.1A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

VJ1210Y332JXLAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 3300PF 630V 5% X7R 1210
VJ0805Y682KXACW1BC
陶瓷 Vishay BC Components 0805（2012 公制） CAP CER 6800PF 50V 10% X7R 0805
SI4500BDY-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC
VI-B6K-EX-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W
VJ1206Y472KBEAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 500V 10% X7R 1206
SGL41-40-E3/96
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AB，MELF DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO-213AB
VIZ0005
配件 Vicor Corporation PowerSO-10 裸露底部焊盘 MECHNCL SAMPLE BCM FULL CHIP SMD
VI-2WF-IY-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 50W
VJ1210Y332JXPAT5Z
陶瓷 Vishay Vitramon 1210（3225 公制） CAP CER 3300PF 250V 5% X7R 1210
VI-B6K-EY-S
DC DC Converters Vicor Corporation 9-SlimMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
VI-2WF-IY-F3
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 72V 50W
VIZ0005
配件 Vicor Corporation PowerSO-10 裸露底部焊盘 MECHNCL SAMPLE BCM FULL CHIP SMD
VJ1206Y472KBGAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 4700PF 1KV 10% X7R 1206
SGL41-40HE3/96
单二极管/整流器 Vishay General Semiconductor DO-213AB，MELF DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO-213AB
VJ1206A100KBBAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1206（3216 公制） CAP CER 10PF 100V 10% NP0 1206

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