SI4816DY-T1 全国供应商、价格、PDF资料
SI4816DY-T1-E3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A,7.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 6.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W,1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
SI4816DY-T1-GE3详细规格
- 类别:FET - 阵列
- 描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
- 系列:LITTLE FOOT®
- 制造商:Vishay Siliconix
- FET型:2 个 N 沟道(双)
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:5.3A,7.7A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:22 毫欧 @ 6.3A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:-
- 功率_最大:1W,1.25W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC N
- 包装:带卷 (TR)
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 50V 20% RADIAL
- FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET DL N-CH 30V 6.8A 8-SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 22PF 150V 1% 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 100V 10% RADIAL
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON RED 500/PK
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 200PF 300V 1% 1111
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.1UF 500V 10% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 12V 40A 8SOIC
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 680PF 100V 20% RADIAL
- 陶瓷 AVX Corporation 0605(1613 公制) CAP CER 22PF 150V 5% 0605
- 陶瓷 AVX Corporation 1111(2828 公制) CAP CER 200PF 300V 5% 1111
- 标签,标记 3M (TC) LABEL 5X3" BLACK ON YEL 500/PK
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH 30V 8SOIC POWERPAK
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.22UF 500V 20% RADIAL