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SI4896DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI4896DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4896DY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：标准; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4896DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI4896DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI4896DY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：80V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：6.7A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：16.5 毫欧 @ 10A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：41nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.56W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

MS310320-15P
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS POTTING W/PINS
SR03700002201KR500
通孔电阻器 Vishay BC Components 轴向 RES 2.20K OHM .50W MET FILM 10%
SR201A122JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1200PF 100V 5% RADIAL
SFW22R-3STE1
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI SFW22R-3STE1-FFC/FPC CONN
SH305S2
传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft SHIELDED DC MICRO-MIZER
SI4896DY-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SOIC
MS27656T9F98S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS WALL MNT W/SCKT
MS3103-20-23S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS POTTING W/SKTS
SR201A122JAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1200PF 100V 5% RADIAL
SH314P.3
传感器电缆 - 配件 Conxall/Switchcraft SHIELDED DC MICRO-MIZER
SFW22R-3STE1LF
FFC，FPC（扁平软线）- 连接器 - 面板安装 FCI CONN FPC/FFC 22POS 1MM R/A SMD
MS3057-10A(M85049/41-10A)
圆形 - 配件 Amphenol Industrial Operations 轴向 STRAIN RLIEF SHELL SZ 18 CADMIUM
SI4908DY-T1-GE3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH DUAL 40V 5A 8-SOIC
MS310320-3S
连接器，互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 3POS WALL MNT W/SKTS
SR201A152FAR
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 1500PF 100V 1% RADIAL

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