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SI5905DC-T1 全国供应商、价格、PDF资料

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SI5905DC-T1-E3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL P-CH G-S 8V 1206-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 3A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:带卷 (TR)

SI5905DC-T1-GE3详细规格

类别:FET - 阵列
描述:MOSFET DUAL P-CH G-S 8V 1206-8
系列:TrenchFET®
制造商:Vishay Siliconix
FET型:2 个 P 沟道(双)
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:8V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:3A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:90 毫欧 @ 3A,4.5V
Id时的Vgs333th444(最大):450mV @ 250µA
闸电荷333Qg4440a0Vgs:9nC @ 4.5V
输入电容333Ciss4440a0Vds:-
功率_最大:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
包装:带卷 (TR)

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