SI7114DN-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 18.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
- 包装：Digi-Reel®
SI7114DN-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 18.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
- 包装：带卷 (TR)
SI7114DN-T1-E3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：TrenchFET®
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 18.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
- 包装：剪切带 (CT)
SI7114DN-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 18.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
- 包装：Digi-Reel®
SI7114DN-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 18.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
- 包装：带卷 (TR)
SI7114DN-T1-GE3详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444：30V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：11.7A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7.5 毫欧 @ 18.3A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：1.5W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：PowerPAK? 1212-8
- 供应商设备封装：PowerPAK? 1212-8
- 包装：剪切带 (CT)
- 阵列，信号变压器 Bourns Inc. 水平式，4 PC 板 IND SHIELDED POWER 3.3UH SMD
- 矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 42POS SNGL TIN
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10PF 200V 5% RADIAL
- FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 1212-8
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） CONN EDGECARD 12POS .156 EXTEND
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc BOARD EVALUATION FOR SI4210
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS UNIDIR 600W 8.0V 5% SMA
- 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 Silicon Laboratories Inc 36-VFQFN 裸露焊盘 IC UP-PROG CLK MULTIPLIER 36QFN
- 矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 86POS DUAL GOLD
- 陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 10PF 200V 5% RADIAL
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc BOARD EMULATION FOR SI4210
- TVS - 二极管 STMicroelectronics DO-214AC，SMA TRANSIL 600W 8.5V UNIDIRECT SMA
- 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 Silicon Laboratories Inc 36-VFQFN 裸露焊盘 IC CLOCK MULT JITTER ATTEN 36QFN
- 矩形- 接头，插座，母插口 Samtec Inc CONN RCPT .100" 43POS SNGL GOLD
0755-88917652 
13510998172 
0755-23613962 
19166203057 
18674491576 
0755-84507209 
83209217 
13509684848 
0755-82525087 
0755-83089975 
010-62962871、 
0755-82561519 
0755-23612326 
0755-82769062 
