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SI9433BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 6.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI9433BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 6.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI9433BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 6.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI9433BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 6.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI9433BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 6.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI9433BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH D-S 20V 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：20V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：40 毫欧 @ 6.2A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.3W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI9433BDY-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC
SSH-LX3050
配件 Lumex Opto/Components Inc TO-3P-3，SC-65-3 HOLDER LED PANEL 3MM BLACK NYLON
SM4124FB1R50
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 1.5 OHM 2W 1% WW 4124
SY898530UTZ
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 Micrel Inc 48-TQFP IC CLK BUFFER 1:16 500MHZ 48TQFP
SW40 BK005
螺线形绕线，伸缩套管 Alpha Wire SPIRAL WRAP UV POLY 1/8" X 100’
STR7-RVDK
过时/停产零件编号 STMicroelectronics 100-LQFP KIT DEV REALVIEW FOR ST/ARM7
SI7302DN-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 220V PWRPAK 1212-8
STP6NK50Z
FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 5.6A TO-220
SY898530UTZ TR
时钟/计时 - 时钟缓冲器，驱动器 Micrel Inc 48-TQFP IC CLK BUFFER 1:16 500MHZ 48TQFP
SSH-LX5090
配件 Lumex Opto/Components Inc TO-3P-3，SC-65-3 BEZEL LED PANEL 5MM BK PLAST 2PC
SW41 BK008
螺线形绕线，伸缩套管 Alpha Wire SPIRAL WRAP UV POLY 1/4" X 25’
STR7-RVDK/BAS
通用嵌入式开发板和套件（MCU、DSP、FPGA、CPLD等） STMicroelectronics KIT DEV ARM REALVIEW STR7/9 MCU
SI7308DN-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
STP7NM50N
FET - 单 STMicroelectronics TO-220-3 MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
SM4124FB2R00
芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 4124 J 形引线 RES 2 OHM 2W 1% WW 4124

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