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SI9934BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 6.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SI9934BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 6.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI9934BDY-T1-E3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET DUAL P-CH 12V 4.8A 8-SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 6.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI9934BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 6.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

SI9934BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 6.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SI9934BDY-T1-GE3详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET P-CH 12V 4.8A 8SOIC; 系列：TrenchFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：2 个 P 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：12V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：4.8A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 6.4A，4.5V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：1.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

VI-BNK-EW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W
SI3460BDV-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
VI-B11-MW
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 12V 100W
SI9933BDY-T1-E3
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET DUAL P-CH 20V 3.6A 8-SOIC
VI-B40-MX
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W
VJ1808A151KBGAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 150PF 1KV 10% NP0 1808
VI-B4L-IU-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W
VI-BNK-EW-F1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 100W
SI3460BDV-T1-E3
FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
VI-B40-MY
DC DC Converters Vicor Corporation 9 针有法兰全砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 5V 50W
VI-B4L-IU-F4
DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 28V 200W
VJ1808A151KBLAT4X
陶瓷 Vishay Vitramon 1808（4520 公制） CAP CER 150PF 630V 10% NP0 1808
SI3460BDV-T1-GE3
FET - 单 Vishay Siliconix 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
SI9945AEY-T1
FET - 阵列 Vishay Siliconix 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2N-CH 60V 3.7A 8SOIC
VI-B12-CU-B1
DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 15V 200W

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