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SP8M3FU6TB详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A，4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：51 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.5nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：230pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SP8M3TB详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A，4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：51 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.9nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：230pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：剪切带 (CT)

SP8M3TB详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A，4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：51 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.9nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：230pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：带卷 (TR)

SP8M3TB详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC; 系列：-; 制造商：Rohm Semiconductor; FET型：N 和 P 沟道; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：5A，4.5A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：51 毫欧 @ 5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 1mA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：3.9nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：230pF @ 10V; 功率_最大：2W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：8-SOIC N; 包装：Digi-Reel®

RT0603CRE0738K3L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 38.3KOHM 1/10W .25% SMD 0603
SP8K4TB
FET - 阵列 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC
SR071A430JAA2972
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 43PF 100V 5% RADIAL
SDR1806-220ML
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 22UH SMD
SR125C223KARTR2
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.022UF 50V 10% RADIAL
SQCB7M100JATME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 10PF 500V 5% 1111
SN74LVU04APWR
逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC HEX INVERTER 14-TSSOP
SFCF1024H1BK1TO-I-MS-553-SMA
存储器，PC 卡 Swissbit NA Inc 径向，Can - QC 端子 FLASH SLC UDMA/MDMA/PIO 1G
RT0603CRE0739K2L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 39.2KOHM 1/10W .25% SMD 0603
SR125C333MAA
陶瓷 AVX Corporation 径向 CAP CER 0.033UF 50V 20% RADIAL
SDR1806-221KL
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR POWER 220UH SMD
SQCB7M101FA1ME
陶瓷 AVX Corporation 1111（2828 公制） CAP CER 100PF 500V 1% 1111
SFCF1024H4BK1SA-I-DS-553-SMA
存储器，PC 卡 Swissbit NA Inc 径向，Can - QC 端子 FLASH SLC UDMA/MDMA/PIO 1G
SN74LVU04APWTG4
逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC HEX INVERTER 14-TSSOP
RT0603CRE073K57L
芯片电阻 - 表面安装 Yageo 0603（1608 公制） RES 3.57KOHM 1/10W .25% SMD 0603

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