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SS8050BBU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：85 @ 100mA，1V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

SS8050CBU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 100mA，1V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

SS8050CTA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 100mA，1V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：剪切带 (CT)

SS8050CTA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：120 @ 100mA，1V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

SS8050DBU详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

SS8050DTA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 25V 1.5A TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：1.5A; 电压_集电极发射极击穿（最大）：25V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：500mV @ 80mA，800mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 100mA，1V; 功率_最大：1W; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

TNPW120626K1BETA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 26.1K OHM 1/4W 0.1% 1206
SS341RT
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SENSOR HALL EFFECT UNIPOLAR SMD
NTA4001NT1G
FET - 单 ON Semiconductor SC-75，SOT-416 MOSFET N-CH 20V 238MA SOT-416
TJ1-STUDIO
配件 Omron Electronics Inc-IA Div TRAJEXIA STUDIO
SS-7488S-GG-PG4-BA
模块 - 插孔 Stewart Connector TO-277，3-PowerDFN CONN MOD JACK R/A 8P8C SHIELDED
TNPW120626K7BETA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 26.7K OHM 1/4W 0.1% 1206
SRT2-OD04
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 4PT NPN TRANSISTOR OUT
SS341RT
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SENSOR HALL EFFECT UNIPOLAR SMD
NTA4153NT1G
FET - 单 ON Semiconductor SC-75，SOT-416 MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
SRT2-OD04
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 4PT NPN TRANSISTOR OUT
TNPW120626R7BEEN
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 26.7 OHM 1/4W 0.1% 1206
NTA4153NT1G
FET - 单 ON Semiconductor SC-75，SOT-416 MOSFET N-CH 20V 915MA SOT-416
SS343RT
磁性 - 霍尔效应，数字式开关，线性，罗盘 (IC) Honeywell Sensing and Control TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SENSOR HALL EFFECT UNIPOLAR SMD
SS-82000-002
模块 - 插孔 Stewart Connector CONN MOD JACK 8P8C
TJ1-TOOLS 1.0
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOTION PERFECT & CX-DRIVE V1.2

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