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STD25NF10LA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 25A DPAK; 系列：STripFET™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 12.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1710pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

STD25NF10LA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 25A DPAK; 系列：STripFET™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 12.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1710pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

STD25NF10LA详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 25A DPAK; 系列：STripFET™ II; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 12.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1710pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

STD25NF10LT4详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 25A DPAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 12.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1710pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：Digi-Reel®

STD25NF10LT4详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 25A DPAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 12.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1710pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：剪切带 (CT)

STD25NF10LT4详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 100V 25A DPAK; 系列：STripFET™; 制造商：STMicroelectronics; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：100V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：25A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：35 毫欧 @ 12.5A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.5V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：52nC @ 5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：1710pF @ 25V; 功率_最大：100W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63; 供应商设备封装：D-Pak; 包装：带卷 (TR)

STM86312
PMIC - 显示器驱动器 STMicroelectronics 44-QFP IC DRIVER/CONTROLLER VFD 44PQFP
OSTEQ160580
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 16POS 5MM
SRR1210-100M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 10UH 6.5A SMD
STD25NF10LT4
FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STM8AF5268TCY
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 48-LQFP MCU 8BIT 32KB FLASH 48-TQFP
OSTEQ170581
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 17POS 5MM
TNPW251219K6BEEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 19.6K OHM 1/2W 0.1% 2512
TNPW120624K0BETA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 24.0K OHM 1/4W 0.1% 1206
SRR1210-270M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 27UH 5A SMD
TNPW25121K05BEEG
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.05K OHM 1/2W 0.1% 2512
OSTEQ210581
接线板 - 线至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 21POS 5MM
TNPW120624K3BETA
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 1206（3216 公制） RES 24.3K OHM 1/4W 0.1% 1206
SRR1210-390M
固定式 Bourns Inc. 非标准 INDUCTOR 39UH 4.2A SMD
STD26NF10
FET - 单 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STM8AF52A8TCX
嵌入式 - 微控制器， STMicroelectronics 48-LQFP MCU 8BIT 128KB FLASH 48-LQFP

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