VND810M 全国供应商、价格、PDF资料

VND810MSP详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关

描述：IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

系列：VIPower™

制造商：STMicroelectronics

类型：高端

输入类型：非反相

输出数：2

导通电阻：150 毫欧

电流_输出/通道：-

电流_峰值输出：900mA

电压_电源：5.5 V ~ 36 V

工作温度：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘

供应商器件封装：PowerSO-10

包装：管件

VND810MSP13TR详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关

描述：IC DRVR HISIDE 2CH POWERSO10

系列：VIPower™

制造商：STMicroelectronics

类型：高端

输入类型：非反相

输出数：2

导通电阻：150 毫欧

电流_输出/通道：-

电流_峰值输出：900mA

电压_电源：5.5 V ~ 36 V

工作温度：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘

供应商器件封装：PowerSO-10

包装：带卷 (TR)

VND810MSP-E详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关

描述：IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

系列：VIPower™

制造商：STMicroelectronics

类型：高端

输入类型：非反相

输出数：2

导通电阻：150 毫欧

电流_输出/通道：-

电流_峰值输出：900mA

电压_电源：5.5 V ~ 36 V

工作温度：-40°C ~ 150°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘

供应商器件封装：PowerSO-10

包装：管件

VND810MSPTR-E详细规格

类别：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 内部开关

描述：IC DVR HIGH SIDE 2CH POWERSO10

系列：VIPower™

制造商：STMicroelectronics

类型：高端

输入类型：非反相

输出数：2

导通电阻：150 毫欧

电流_输出/通道：-

电流_峰值输出：900mA

电压_电源：5.5 V ~ 36 V

工作温度：-40°C ~ 150°C

安装类型：表面贴装

封装/外壳：PowerSO-10 裸露底部焊盘

供应商器件封装：PowerSO-10

包装：带卷 (TR)