ZTX1151A 全国供应商、价格、PDF资料

ZTX1151A详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP -40V -3000MA TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：240mV @ 250mA，3A

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 500mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：145MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装

ZTX1151ASTOA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP HIGH GAIN TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：240mV @ 250mA，3A

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 500mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：145MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

ZTX1151ASTOB详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP HIGH GAIN TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：240mV @ 250mA，3A

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 500mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：145MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

ZTX1151ASTZ详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP HIGH GAIN TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：3A

电压_集电极发射极击穿（最大）：40V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：240mV @ 250mA，3A

电流_集电极截止（最大）：100nA

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：250 @ 500mA，2V

功率_最大：1W

频率_转换：145MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带盒（TB）