ZTX555 全国供应商、价格、PDF资料

ZTX555详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANS PNP HV 150V 1000MA TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：150V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 300mA，10V

功率_最大：1W

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装

ZTX555STOA详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：150V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 300mA，10V

功率_最大：1W

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

ZTX555STOB详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：150V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 300mA，10V

功率_最大：1W

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)

ZTX555STZ详细规格

类别：晶体管(BJT) - 单路

描述：TRANSISTOR PNP MED PWR TO92-3

系列：-

制造商：Diodes Inc

晶体管类型：PNP

电流_集电极333Ic444（最大）：1A

电压_集电极发射极击穿（最大）：150V

IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 10mA，100mA

电流_集电极截止（最大）：-

在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：50 @ 300mA，10V

功率_最大：1W

频率_转换：100MHz

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带盒（TB）