ZVN3320A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 200V 0.1A TO92-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:625mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
ZVN3320ASTOA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CHAN 200V TO92-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:625mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
ZVN3320ASTOA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CHAN 200V TO92-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:625mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:剪切带 (CT)
ZVN3320ASTOA详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CHAN 200V TO92-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes/Zetex
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:625mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
ZVN3320ASTOB详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CHAN 200V TO92-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:625mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
ZVN3320ASTZ详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CHAN 200V TO92-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:200V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:100mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:25 欧姆 @ 100mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:45pF @ 25V
- 功率_最大:625mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
- FET - 单 Diodes Inc TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线 MOSFET N-CHAN 200V TO92-3
- 网络、阵列 Yageo 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 15 OHM 4 RES 1206
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC XDCP SGL 256TAP 50K 14-TSSOP
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Xilinx Inc 456-BBGA IC FPGA 2.5V C-TEMP 456-FBGA
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-FinMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 50W
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针半砖 FinMod CONVERTER MOD DC/DC 40V 75W
- 钽 Vishay Sprague 1411(3528 公制) CAP TANT 1.5UF 35V 20% 1411
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC XDCP SGL 256TAP 50K 14-TSSOP
- 网络、阵列 Yageo 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 16K OHM 4 RES 1206
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Xilinx Inc 352-LBGA,金属 IC FPGA 2.5V C-TEMP 352-MBGA
- DC DC Converters Vicor Corporation 9-BusMod CONVERTER MOD DC/DC 36V 200W
- 钽 Vishay Sprague 1411(3528 公制) CAP TANT 150UF 6.3V 10% 1411
- DC DC Converters Vicor Corporation 9 针法兰半砖电源模块 CONVERTER MOD DC/DC 40V 50W
- 网络、阵列 Yageo 1206(3216 公制),凸起 RES ARRAY 16 OHM 4 RES 1206
- 数据采集 - 数字电位器 Intersil 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) IC XDCP 32-TAP 50K 3-WIRE 8-MSOP