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BCV46,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL PNP 60V 500MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：220MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

BCV46,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL PNP 60V 500MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：220MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BCV46,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS DARL PNP 60V 500MA SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：220MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

BCV46TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL PNP 60V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：330mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

BCV46TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL PNP 60V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：330mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

BCV46TA详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR DARL PNP 60V SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：PNP - 达林顿; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：60V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：1V @ 100µA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：10000 @ 100mA，5V; 功率_最大：330mW; 频率_转换：200MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：Digi-Reel®

BZX884-B18,315
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 18V 250MW SOD882
BCV29,115
晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS DARL NPN 30V 500MA SOT89
74990
螺钉和螺母驱动器 - 刀片和钻头组 Wiha TO-243AA HAND TOOLS
BZX84-B9V1,215
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 9.1V 250MW SOT23
C0402C331K5HACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 330PF 50V 10% X8R 0402
C0402C0G1C270G
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 27PF 16V 2% NP0 01005
B43601C5227M80
电容器 EPCOS Inc 220UF 450V 30X30 SNAP-IN
BZX884-B22,315
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 250MW 22V SOD882
C0402C823M4RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.082UF 16V 20% X7R 0402
BZX84B9V1LT1G
单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE ZENER 9.1V 225MW SOT-23
C0402C331K5HACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 330PF 50V 10% X8R 0402
C0402C0G1C2R2B
陶瓷 TDK Corporation 01005（0402 公制） CAP CER 2.2PF 16V NP0 01005
B43601C5227M87
电容器 EPCOS Inc 220UF 450V 30X30 SNAP-IN
C0402C823M9RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.082UF 6.3V X7R 0402
BZX884-B24,315
单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-882 DIODE ZENER 24V 250MW SOD882

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