SIRA14DP-T1-GE3

SIRA14DP-T1-GE3属性

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SIRA14DP-T1-GE3描述

SIRA14DP-T1-GE3
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerPAK-SO-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 58 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V, - 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.1 V
Qg-栅极电荷: 29 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 31.2 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: TrenchFET, PowerPAK
封装: Reel
高度: 1.04 mm
长度: 6.15 mm
系列: SIR
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.15 mm
商标: Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值: 65 S
下降时间: 8 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 18 ns
典型接通延迟时间: 9 ns
零件号别名: SIRA14DP-GE3
单位重量: 506.600 mg
深圳市川蓝电子科技有限公司
网站：www.cldzbest.com
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