DMC3016LSD-13

DMC3016LSD-13属性

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DMC3016LSD-13描述

DMC3016LSD-13
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 无铅环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 8.2 A, 6.2 A
Rds On-漏源导通电阻: 15 mOhms, 30 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.3 V
Qg-栅极电荷: 11.3 nC, 10.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.2 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
封装: Reel
系列: DMC3016
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 5.6 ns, 40.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 16.5 ns, 17.1 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26.1 ns, 60.5 ns
典型接通延迟时间: 4.8 ns, 9.7 ns
单位重量: 74 mg
深圳市川蓝电子科技有限公司
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