nmos外延可将晶体管速度提高半个器件节点，同时不增加关闭状态下的功耗

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“外延是高性能晶体管的基本组成部分，速度提升相当于缩放半个器件节点。”应用材料公司硅系统事业部表示，“除了传统的pmos 外延以外，通过实施nmos外延工艺，我们能帮助晶圆代工客户进一步增强用于下一代器件的晶体管性能。”

自90纳米终端节点以来，具有即时掺杂性能的应变选择性外延膜已经改善了pmos晶体管的迁移率，降低了电阻，从而提高了晶体管的速度。在nmos 晶体管中采用选择性外延，具有类似的提升作用，能够增强总体芯片的性能。通过将这种技术用于这两类晶体管，应用材料公司推动了行业发展，以满足日益增长的多功能移动产品更快和更高计算能力的需求。这种性能的提升有助于客户实现更先进的功能，如提升多任务和更高品质的图形以及影像处理能力等。

centura rp epi系统设备是经过生产实践证明的pmos外延应用领域的的领导者。随着今天这项新技术的推出，该系统的应用范围如今已涵盖了nmos晶体管指定区域薄膜的选择性沉积。应用材料公司市场领先的专有外延技术能够实现高质量应变膜在沉积时进行精准的原子掺杂。严格的制造工艺控制带来优秀的膜性能、均匀性和极低缺陷率。这些特性解决了诸多性能问题，包括关键电荷层的电阻率问题。

对centurarpepi系统设备的市场领导地位发挥核心作用的是其集成的低温预清洁siconi　技术。在同一个真空平台集成预清洁和外延工艺，能够消除排队时间，相较单机独立系统设备能够减少界面污染超过一个数量级，从而打造纯洁的硅表面，实现无缺陷外延晶体生长。

新的nmos(n型金属氧化物半导体)外延沉积工艺对下一代移动处理器芯片内更快的晶体管至关重要。

应用材料公司在applied centura rp epi系统设备上新开发了一套nmos晶体管应用技术，继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的开发符合行业在20纳米节点时将外延沉积从pmos(p型金属氧化物半导体)向nmos(n型金属氧化物半导体)晶体管延伸的趋势，推动芯片制造商打造出更快的终端，提供下一代移动计算能力。http://anteshiji.51dzw.com