32x1路和图像识别引擎(IMP-X5-V3H)SPARC V8体系架构的SoC芯片
发布时间:2021/8/29 16:36:00 访问次数:7379
r-car-v3h是深度学习智能摄像头64位片上系统(soc),为先进的计算机视觉带来出色的tops/watt,支持最新的ncap 2020要求,包括驾驶员监控系统,并提供向ncap 2025迁移的路径.
具有低功耗高效率的图像识别引擎,提供高达7.2 tops 的处理能力(对于 cnn,可达 3.7 tops),以及优化的性能/功率比平衡.产品具有四个1.0ghz arm® cortex®-a53 mpcore™核,两个锁步800mhz arm® cortex®-r7核,用于lpddr4-3200的存储器控制器,32x1路和图像识别引擎(imp-x5-v3h)以及两个图像信号处理器(isp).
高度集成soc支持在实时领域的asil c安全目标,无需外部安全mcu,即管理传感器融合和最终决策操作.
制造商:diodes incorporated 产品种类:双极晶体管 - 预偏置 配置:single 晶体管极性:npn 典型输入电阻器:1 kohms 典型电阻器比率:0.1 安装风格:smd/smt 封装 / 箱体:sot-23-3 直流集电极/base gain hfe min:56 集电极连续电流:500 ma 峰值直流集电极电流:500 ma 最小工作温度:- 55 c 最大工作温度:+ 150 c 封装:cut tape 封装:mousereel 封装:reel 高度:1 mm 长度:3.05 mm 宽度:1.4 mm 商标:diodes incorporated 产品类型:bjts - bipolar transistors - pre-biased 工厂包装数量3000 子类别:transistors 单位重量:8 mg
基于sparc v8体系架构的s698系列soc芯片的研制工作。
到目前为止,该产品已经形成丰富的产品线,包括数款成功流片量产的产品、数款mpw小规模试产的产品和数款基于fp-ga的量产产品。
下面重点介绍几款流片量产的产品:s698、s698m、s698-ecr以及s698-mil。
s698芯片是欧比特公司研制成功的一款基于sparc v8体系架构的soc芯片,也是一款商业化了的sparc v8 soc芯片。其发布于2003年,生产工艺为tsmc的0.25μm cmos工艺,性能达到了133 mips/33mflops@133 mhz。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
r-car-v3h是深度学习智能摄像头64位片上系统(soc),为先进的计算机视觉带来出色的tops/watt,支持最新的ncap 2020要求,包括驾驶员监控系统,并提供向ncap 2025迁移的路径.
具有低功耗高效率的图像识别引擎,提供高达7.2 tops 的处理能力(对于 cnn,可达 3.7 tops),以及优化的性能/功率比平衡.产品具有四个1.0ghz arm® cortex®-a53 mpcore™核,两个锁步800mhz arm® cortex®-r7核,用于lpddr4-3200的存储器控制器,32x1路和图像识别引擎(imp-x5-v3h)以及两个图像信号处理器(isp).
高度集成soc支持在实时领域的asil c安全目标,无需外部安全mcu,即管理传感器融合和最终决策操作.
制造商:diodes incorporated 产品种类:双极晶体管 - 预偏置 配置:single 晶体管极性:npn 典型输入电阻器:1 kohms 典型电阻器比率:0.1 安装风格:smd/smt 封装 / 箱体:sot-23-3 直流集电极/base gain hfe min:56 集电极连续电流:500 ma 峰值直流集电极电流:500 ma 最小工作温度:- 55 c 最大工作温度:+ 150 c 封装:cut tape 封装:mousereel 封装:reel 高度:1 mm 长度:3.05 mm 宽度:1.4 mm 商标:diodes incorporated 产品类型:bjts - bipolar transistors - pre-biased 工厂包装数量3000 子类别:transistors 单位重量:8 mg
基于sparc v8体系架构的s698系列soc芯片的研制工作。
到目前为止,该产品已经形成丰富的产品线,包括数款成功流片量产的产品、数款mpw小规模试产的产品和数款基于fp-ga的量产产品。
下面重点介绍几款流片量产的产品:s698、s698m、s698-ecr以及s698-mil。
s698芯片是欧比特公司研制成功的一款基于sparc v8体系架构的soc芯片,也是一款商业化了的sparc v8 soc芯片。其发布于2003年,生产工艺为tsmc的0.25μm cmos工艺,性能达到了133 mips/33mflops@133 mhz。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
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