富士通半导通信机存器
型号：MB85R256F、MB85R4M2T、MB85RC04V、MB85RC128A、MB85RC16、MB85RC16V、MB85RC1MT、MB85RC256V、MB85RC512T、MB85RC64TA、MB85RC64V、MB85RDP16LX(*)、MB85RQ4ML、MB85RS128、MB85RS128B、MB85RS16N、MB85RS1MT、MB85RS256B、MB85RS256TY、MB85RS2MTA、MB85RS512T、MB85RS64、MB85RS64V、MB85RS128TY、MB97R8110、MB85RDP16LX、MB85RS64T、MB85RS64TU、MB94R330、MB97R8050、MB89R119B、MB89R112A、MB89R112B、MB89R118C、MB97R8120、MB97R8130
1Mbit/2MbitFRAMSPI接口非易失性存储器
MB85RS1MT/MB85RS2MT
这两款新产品是富士通半导体提供的最大容量串口FRAM，分别带有1Mbit和2Mbit的存储器，适合用于智能电表、工业机械和医疗设备。它有助于开发高性能、小型和节能的设备，为客户大幅降低整体成本。＊FRAM：FerroelectricRAM:铁电存储器
FRAM解决方案的优势：
与以往的串行存储器相比，FRAM具有低功耗、高速写入和高耐受力等特点，可以减轻产品开发人员在存储器系统设计方面的烦恼和负担。FRAM还有助于降低终端产品运用中的风险并将损失控制到最小范围，有利于降低从产品开发到运用的整体成本。图1所示为FRAM的目标应用之一，即电力仪表开发人员在存储器系统设计上的烦恼及其解决方案。以下将具体介绍FRAM的特点以及能给客户带来的好处。
低功耗改善设备能耗：
利用非易失性存储器FRAM取代SRAM可省却数据维持所需的电池，从而节省电力。EEPROM数据写入时电流大、时间长，因而功耗也大。在电力仪表等应用中，由于需要频繁读取和记录数据，采用EEPROM时功耗会较大。FRAM数据写入时电流小、速度快，因而功耗也小。采用FRAM作为数据记录用的存储器设备能耗更低。与存储容量相同的EEPROM相比，FRAM写入时最大可减少92%的功耗（写入速度2K字节/秒）。
型号接口存储器容量电源电压工作周期（最大）工作温度范围数据读写次数数据保持特性封装
MB85RS1MTSPI1Mbit1.8～2.7V25MHz-40～＋85℃10万亿次（1013次）10年（＋85℃）8脚SOP2.7～3.6V30MHz＊MB85RS2MTSPI2Mbit1.8～2.7V25MHz-40～＋85℃10万亿次（1013次）10年（＋85℃）8脚SOP8脚DIP2.7～3.6V25MHz＊＊40MHz条件下的高速读动作。
专业代理分销，原装正品，假一罚十！！！
联系热线：13530305958/0755-83466125江小姐/李先生
QQ：534192423/1563538547
深圳斯普仑科技有限公司主要经营和代理的有ALTERA，XILINX，TI，AD，Fairchild，ST,NXP,LATTICE,SEMTECH,RENESAS,INFINEON,IR,MAXIM,ON,Rohm,SHARP,VISHAY,MINI,三星samsung,海力士SKhynix,镁光micron,东芝Toshiba,闪迪Sandisk,南亚Nanya,金士顿Kingston等知名IC品牌。
应用领域：手机，电视，OTT，车载,汽车电子，蓝牙音响，玩具，网通，DVB-S，Pc周边，机顶盒，安防，平板，PC主板，VR,电视等
