UCC27201ADR特性
可驱动两个采用高侧和低侧配置的 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
HS 引脚具备 -18V 的负电压处理能力
最大启动电压：120V
最大 VDD 电压：20V
片载0.65V VF， 0.6Ω RD 自举二极管
工作频率高于 1MHz
20ns 传播延迟时间
3A 吸收，3A 供电输出电流
8ns 上升 / 7ns 下降时间 （采用 1000pF 负载时）
1ns 延迟匹配
用于高侧和低侧驱动器的欠压锁定功能
–40°C 至 140°C 的额定温度范围
UCC27201ADR应用
针对电信、数据通信和商业的电源
半桥 应用 和全桥转换器
隔离式总线架构
两开关正激式转换器
有源箝位正激式转换器
高电压同步降压转换器
D 类音频放大器
UCC27201ADR说明
UCC27201ADR高频 N 沟道 MOSFET 驱动器由 120V 自举二极管和高侧/低侧驱动器组成，其中高侧/低侧驱动器配有独立输入，可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥转换器、全桥转换器、双开关正激转换器和有源钳位正激转换器中实现 N 沟道 MOSFET 控制。低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的，并在彼此的接通和关断之间实现了 1ns 的延迟匹配。UCC27201ADR基于常见的 UCC27200/1 驱动器，但提供了一些增强功能。UCC27201ADR具有增强型 ESD 输入结构并且其 HS 引脚最高能够承受 -18V 电压，这使得其在嘈杂电源环境下的性能得到了改善。
由于在芯片上集成了一个自举二极管，因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能，如果驱动电压低于规定的门限，则强制输出为低电平。
UCC27201ADR具有兼容晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 的阈值。
产品属性 属性值
制造商: Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
产品: MOSFET Gate Drivers
类型: High-Side, Low-Side
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
激励器数量: 2 Driver
输出端数量: 2 Output
输出电流: 3 A
电源电压-最小: 8 V
电源电压-最大: 17 V
上升时间: 8 ns
下降时间: 7 ns
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 140 C
系列: UCC27201A
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Texas Instruments
特点: Negative Voltage Handling
工作电源电流: 5.5 mA
工作电源电压: 8 V to 20 V
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
单位重量: 76 mg
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