UCC27201DRMR特性
在高侧驱动两个N沟道MOSFET和低端配置
HS上的负电压处理（-5 V）
最大启动电压为120 V
最大VDD电压为20 V
片上0.65-V VF，0.6-ΩRD自举二极管
工作频率大于1 MHz
20ns传播延迟时间
3-A汇点和3-A源输出电流
1000 pF负载时8 ns上升和7 ns下降时间
1-ns延迟匹配
高压侧和低压侧的欠电压锁定驱动
规定温度为-40°C至140°C
UCC27201DRMR说明
UCC27201DRMR高频N沟道MOSFET驱动器包括120-V自举二极管以及具有独立输入的高侧和低侧驱动器，以实现最大的控制灵活性。这允许在半桥、全桥、双开关正向和有源箝位正向转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧栅极驱动器和高侧栅极驱动器被独立地控制，并且在彼此的接通和关断之间被匹配到1ns。
片上自举二极管消除了外部分立二极管。如果驱动电压低于指定阈值，则为高侧和低侧驱动器提供欠压锁定，从而迫使输出为低。
UCC27201DRMR具有TTL兼容阈值。
产品属性 属性值
制造商: Texas Instruments
产品种类: 栅极驱动器
产品: MOSFET Gate Drivers
类型: High-Side, Low-Side
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: VSON-8
激励器数量: 2 Driver
输出端数量: 2 Output
输出电流: 3 A
电源电压-最小: 8 V
电源电压-最大: 17 V
上升时间: 8 ns
下降时间: 7 ns
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 140 C
系列: UCC27201
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Texas Instruments
开发套件: BQ24610EVM-603
最大关闭延迟时间: 1 ns
最大开启延迟时间: 1 ns
工作电源电流: 5.5 mA
工作电源电压: 8 V to 20 V
Pd-功率耗散: 3.3 W
产品类型: Gate Drivers
工厂包装数量: 3000
子类别: PMIC - Power Management ICs
技术: Si
单位重量: 24 mg
TPS1H100AQPWPRQ1
TPS1H100BQPWPRQ1
TPS54227DDAR
TPS54610PWPR
TPS54622RHLR
TPS60150DRVR
TPS61042DRBR
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TPS61165DRVR
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ADC081C027CIMKX/NOPB
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ADS1113IDGSR
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UC2843AQD8RQ1
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UCC21520DWR
UCC23513DWYR
UCC24624DR
UCC25600DR
UCC25710DWR
UCC27201ADR
UCC27201ADRMR
UCC27201DDAR
UCC27201DR
UCC27201DRMR
