LTZ1000ACH#PBF的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
LTZ1000ACH
Brand Name
Analog Devices Inc
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
生命周期
Active
Objectid
4002727546
包装说明
0.200 INCH, METAL CAN, TO-5, 8 PIN
针数
8
制造商包装代码
05-08-1320
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
USA
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8542.39.00.01
风险等级
7.43
Samacsys Manufacturer
Analog Devices
Samacsys Modified On
2024-08-24 20:46:58
YTEOL
8.5
模拟集成电路 - 其他类型
TWO TERMINAL VOLTAGE REFERENCE
JESD-30 代码
O-MBCY-W8
JESD-609代码
e0
功能数量
1
输出次数
1
端子数量
8
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电压
7.45 V
最小输出电压
6.9 V
标称输出电压
7.15 V
封装主体材料
METAL
封装代码
BCY
封装形状
ROUND
封装形式
CYLINDRICAL
认证状态
Not Qualified
表面贴装
NO
技术
BIPOLAR
最大电压温度系数
0.05 ppm/°C
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
WIRE
端子位置
BOTTOM
微调/可调输出
NO
LTZ1000ACHPBF电压基准芯片的设计与应用研究
引言
电压基准芯片是现代电子系统中不可或缺的组件之一，其主要功能是提供稳定的参考电压，以确保系统在不同工作环境下的正常运行。LTZ1000ACH#PBF是一款由线性技术公司（Linear Technology，现为Analog Devices的一部分）生产的高性能电压基准芯片。在众多电压基准产品中，LTZ1000以其出色的温度稳定性和低噪声特性，广泛应用于高精度测量、信号调理和数据采集系统等场合。
LTZ1000的设计特点
LTZ1000芯片采用了温度补偿设计，能够在-40°C到+125°C的工作范围内提供极为稳定的参考电压。其典型的输出电压为2.5V，且具有高达±0.05% 的输出精度。通过内部的温度补偿电路，LTZ1000能有效降低温度变化对输出电压的影响，显著提高了系统的长期稳定性。此外，LTZ1000的噪声特性也令人瞩目，典型的低频噪声为0.1 mVpp，适合在低噪声环境中使用。
该芯片还集成了一系列重要的功能模块，包括双极源极跟随器，内置的温度补偿电路以及低温系数的电阻网络。这些设计元素的整合极大地提高了芯片的稳定性和可靠性，确保其能够在各种严苛工作条件下正常工作。
应用领域
LTZ1000的优越性能使其在多个领域展现了广阔的应用潜力。首先，在精密测量仪器中，LTZ1000被用作基准电压源，为ADC（模数转换器）等关键模块提供可靠的参考电压。这在仪器的精度和性能上起到至关重要的作用。其次，在医疗设备、工业自动化及通讯设备等领域，LTZ1000作为高稳压源被广泛应用，以减少因电压波动而导致的测量不准确。
以医疗设备为例，患者监护仪器需要对生理信号进行精确测量，通过LTZ1000提供稳定的电压基准，以确保信号采集和处理的准确性。此外，在高精度自产设备中，LTZ1000也常被应用于信号调理和处理链路中，保证了信号的完整性和准确性。
性能测试与评估
为了评估LTZ1000的性能，通常会进行一系列的实验测试，包括其温度系数、输出阻抗、长时间漂移、噪声特性及其响应特性等。LTZ1000的温度系数非常小，通常在±0.5 ppm/°C以下，这在要求严格的应用中尤为重要。为了进一步评估其长时间稳定性，测试可能会涵盖几个月的时间，观察输出电压的漂移情况，通过这些数据，开发者可以更准确地判断芯片在实际工作中的表现。
输出阻抗是另一个重要的性能指标，通常LTZ1000的输出阻抗在频率不同的情况下变化不大，这意味着它能够较好地应对负载变化带来的影响。此外，LTZ1000在低噪声条件下，能够保持电压输出的稳定性，长期的动态范围测试结果显示，LTZ1000在高精度应用中的表现均达到设计指标。
整体性能的应用实例
在许多高端测试设备中，LTZ1000的使用能够有效减少系统误差。例如，在高精度数字万用表中，LTZ1000为ADC提供基准电压，通过降低基准电压的变化带来的影响，显著提高了仪器的测量精度。又比如，在基于LTZ1000的自动化测试设备中，研究人员利用其稳定的基准电压，开发出具有自校准功能的测量系统，极大地提升了测试的可靠性。
又如在航空航天和军工领域，对仪器的测量准确性及稳定性要求极其严格，LTZ1000的使用为这些领域带来了显著优势。在这些应用中，任何微小的测量误差都可能导致重大的安全隐患，因此选择高性能的电压基准芯片是确保系统安全与工作的必要条件。
未来发展趋势
随着技术的不断演进，电压基准芯片的性能也在不断提升。未来，LTZ1000及其后续产品有望在单位体积、集成度、能耗以及性能等方面取得更大的突破。集成更多智能功能的电压基准芯片将会被广泛应用于物联网设备、智能传感器、以及移动设备等新兴领域。通过稳定的电压基准，智能设备能够更准确地进行数据采集和处理，从而提升用户体验。
在设计过程中，LTZ1000的后续型号有望在温度适应性、抗干扰能力和自我监测功能上有所改进，以满足越来越苛刻的市场需求。同时，先进材料和新工艺的应用也将推动高性能电压基准芯片的发展。随着更高的集成度和更小的体积设计，LTZ1000有望继续在电压基准领域保持领先。
LTZ1000ACH
LINEAR(凌特)
M12L16161A-7T
ESMT
M24C16-DRMF3TG/K
ST(意法)
M29DW323DB70ZE6
ST(意法)
M2S090TS-FCS325
M30624FGMGP
Renesas(瑞萨)
M9-CSP64
ATI
MAX20042FGEEB/V+T
MAX3223IDB
TI(德州仪器)
MAX3226ECUE+
Maxim(美信)
MAX3233ECWP
Maxim(美信)
MAX32555-LNS
Maxim(美信)
MAX34411ETG+T
Maxim(美信)
MAX3488EESA+
Maxim(美信)
MAX4238AUT
Maxim(美信)
MAX6581TG9A+
Maxim(美信)
MAX708ESA
Maxim(美信)
MAX96714GTJ/VY+
MAX98300ETA
Maxim(美信)
MAX9924UAUB
Maxim(美信)
MB90587CA-127
MB95F176JWPMC1-GS-N2E1
MB95F636KPMC-G-UNE2
SPANSION(飞索)
MBRS130LT3
ON(安森美)
MC14504BD
ON(安森美)
MC33166TVG
ON(安森美)
MC34717EP
NXP(恩智浦)
MC68908GZ16CFJE
Freescale(飞思卡尔)
MC68HC908LJ24CPB
MOT(仁懋)
MC74HC4851ADTR2G
ON(安森美)
MC9S12E128CPVE
MOTOROLA(摩托罗拉)
MCF51QM128VLH
Freescale(飞思卡尔)
MCF52230CAL60
MCIMX6DP6AVT1AB
NXP(恩智浦)
MCIMX6S6AVM08ACR
NXP(恩智浦)
MCP651ST-E/OT
Microchip(微芯)
MGA-425P8
MGA-634P8
Avago(安华高)
MIC5233-5.0YM5
Microchip(微芯)
MIC5308YD6
MJE170G
ON(安森美)
MLX90316EDC-BCG
Melexis(迈来芯)
MP1482
MPS(美国芯源)
MPC5200
MPM3822CGRH
MPS(美国芯源)
MRF24WN0MB-I/RM100
Microchip(微芯)
MS41908M
MSP430F413IPM
TI(德州仪器)
MSP430F5510IRGC
TI(德州仪器)
MSP430FR2111IPW16
TI(德州仪器)
MT2712Q
MT29F16G08FAAWC-ET
micron(镁光)
MT29F256G08AUCABH3-10Z
MT40A1G16KH-062E
MT41K128M16JT-107
micron(镁光)
MT41K256M8DA-107:K
micron(镁光)
MT41K512M16HA-107
micron(镁光)
MT47H128M8CF-25E:H
micron(镁光)
MT53D1024M32D4DT-053AIT:D
micron(镁光)
MT6804CT-ACH
MTFC8GLGDQ-AITZ
MUR8100E
ON(安森美)
MX25L12873FMI-10G
MXIC(旺宏)
MX25U6432FZBI02
N25Q128A11E1240
N76E003
Nuvoton(新唐)
NB7NPQ7222MMUTXG
ON(安森美)
NCA9545-DTSR
NCP114AMX250TCG
ON(安森美)
NCP5130BR2G
NCV8402ASTT
NGTB75N65FL2
NJM2903M
JRC(日本无线电)
NJW1222
NT5AD256M16E4-JR
NVP2431H
OB2301WCPA
OnBright(昂宝)
OP90GSZ
ADI(亚德诺)
OPA171AIDBV
TI(德州仪器)
OPA703UA
Burr-Brown(TI)
P3202CMG
NIKO SEMICONDUCTOR
PAT9125EL
PCA85063ATT/A
NXP(恩智浦)
PCF7953MTTC1AC2200
NXP(恩智浦)
PD70210ILD
PE42423MLBA
PFC2225BNP-402
SUMIDA(胜美达)
PGA112AIDGS
TI(德州仪器)
PIC16C58B-04/P
MIC(昌福)
PIC16F1823
Microchip(微芯)
PIC16F18344T-E/SSVAO
PIC16F785T-E/SSV02
PIC32MX120F064H-I/PT
Microchip(微芯)
PL133-37TI
Microchip(微芯)
PLH10AN7003R6P2B
MURATA(村田)
PLL1705DBQ
Burr-Brown(TI)
QPQ1907SR
R5F100FEAFP#50
Renesas(瑞萨)
R5F109ADKSP
R7F7016514ABG-C#BC1
RB411VAM-50
REF193GS
ADI(亚德诺)
REF2920AIDBZR
TI(德州仪器)
RF5422
RFMD
RI-TRP-WRHP-20
RT2101AGQW
RICHTEK(台湾立锜)
RT7331GS
RICHTEK(台湾立锜)
RT8514GJ6
RICHTEK(台湾立锜)
RT8580GE
RICHTEK(台湾立锜)
RTC7658
RTL8125BI-CG
RTL8211FS
REALTEK(瑞昱)
RTL9068ABD-VA-CG
S25FL116K0XMFI043
SPANSION(飞索)
S3F8S5AXZZ
S905L3
S9KEAZ128AVLH
NXP(恩智浦)
SC92F8462B
SGM321YN5
SGMICRO(圣邦微)
SGM358YS
SGMICRO(圣邦微)
