MMBF5484的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
MMBF5484
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
4001115524
零件包装代码
SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P
制造商包装代码
318
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
风险等级
0.76
Samacsys Description
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR - MMBF5484. - JFET, N CH, 25V, 0.01A, SOT23
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.82
配置
SINGLE
FET 技术
JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)
1 pF
JEDEC-95代码
TO-236AB
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
DEPLETION MODE
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
0.225 W
最大功率耗散 (Abs)
0.225 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
AMPLIFIER
晶体管元件材料
SILICON
MMBF5484接线场效应晶体管的特性与应用
一、引言
随着电子技术的不断发展，场效应晶体管（FET）作为现代电子器件的重要组成部分，广泛应用于各类电路中。MMBF5484是一种经典的N沟道增强型场效应晶体管，因其优良的电气特性和稳定性，被广泛应用于低噪声放大、开关电路及射频电路等领域。理解其工作原理、特性及应用，对于电子工程师和相关领域的研究者都具有重要意义。
二、MMBF5484的结构与工作原理
MMBF5484的结构主要由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）三部分组成。N沟道晶体管中，源极和漏极的导电性是由N型半导体材料构成，而栅极则通常由P型材料或金属材料制成。当栅极电压（Vgs）超过阈值电压（Vth）时，栅极与基体之间形成的电场会在N型材料中引入额外的载流子，从而在源极和漏极之间形成导电通道，实现电流的导通。
在无信号状态下，若Vgs小于Vth，晶体管处于截止状态，几乎没有电流流过。而当Vgs逐渐增大，达到阈值电压后，导电通道逐渐形成，晶体管进入饱和区，此时漏极电流（Id）与漏源电压（Vds）关系密切。通过控制栅极电压，可以实现对漏极电流的精确调控，进而实现对电路的控制。
三、MMBF5484的电气特性
MMBF5484的关键电气特性主要包括漏极电流、栅极漏电流、阈值电压、增益等参数。在规定的工作条件下，MMBF5484表现出稳定的漏电流特性，栅极漏电流通常很小，这使得其在低功耗电路中广受欢迎。此外，其阈值电压范围通常在1V至2.5V之间，方便应用于不同的驱动电压下工作。
增益是衡量场效应晶体管性能的重要指标。MMBF5484一般具有较高的增益特性，其单位增益频率（fT）常常达到数百MHz，从而使得在高频信号处理时能保持良好的线性特性。此外，由于其结构特点，MMBF5484通常具有较低的输入阻抗和较高的输出阻抗，这为设计者在实现不同功能时提供了灵活性。
四、MMBF5484在实际应用中的典型电路
MMBF5484的广泛应用主要体现在以下几方面：
1. 低噪声放大器：MMBF5484因其低输入噪声的特性，常用于低噪声放大电路中。通过合理选择偏置电路和外部元件，可以实现对微弱信号的有效放大。例如，在射频放大器中，MMBF5484可用于信号的增益调节，使信号在后续处理阶段得到更好的保留。
2. 开关电路：在开关电路设计中，MMBF5484可用于实现高效的电子开关，尤其适用于低功率的开关控制。通过控制栅极电压的高低，可以实现电流的精准导通与截止，进而控制负载的开关状态。
3. 射频电路：MMBF5484由于其优越的频率特性，被广泛应用于射频电路中。能够在较高频率下保持良好的增益与线性特性，使其适合用作射频发射和接收模块中的关键元件。
4. 模拟信号调节：在模拟信号处理领域，MMBF5484可广泛应用于信号调节电路。由于其在不同频率上均能保持较好的增益特性，可以用于音频信号的放大、调节和处理。
五、MMBF5484的优缺点分析
MMBF5484作为一种N沟道增强型场效应晶体管，具备诸多优点。首先，其结构简单、易于集成，适合大规模生产。其次，其低功耗特点，使得在移动设备等要求节能的场合尤其受到重视。此外，CMOS技术的发展使得其在集成电路中得到了更广泛的应用。
然而，MMBF5484也存在一些局限性。例如，其在高温和强辐射环境中的稳定性较差，可能影响其在恶劣工作条件下的长期可靠性。同时，由于开关速度受到载流子迁移率的限制，在一些高频应用中可能会受到影响。
六、结论（不做讨论）
在电子电路设计中，MMBF5484以其优越的电气性能和多样化的应用场合，成为众多电子工程师的首选器件之一。在对其特性深入理解的基础上，能够更好地发挥其在各类应用中的优势，为现代电子技术的发展贡献力量。
MMBF5484
Freescale(飞思卡尔)
PC357N4J000F
Sharp(夏普)
RPI-0352E
Rohm(罗姆)
SDSDQAB-008G
Sandisk
STTH2R02UY
ST(意法)
THS4552IPWR
TI(德州仪器)
VS-MUR2020CT-M3
Vishay(威世)
WS2812B-V5
worldsemi
74VHC14MTCX
ON(安森美)
AD7684BRMZRL7
ADI(亚德诺)
AD8648ARUZ-REEL
ADI(亚德诺)
ADA4930-1YCPZ-R7
ADI(亚德诺)
ADS7886SBDCKR
TI(德州仪器)
ADS7950SBRGET
TI(德州仪器)
BLM18KG101TN1D
MURATA(村田)
BLM18PG300SN1D
MURATA(村田)
BQ24123RHLR
TI(德州仪器)
BSC360N15NS3G
Infineon(英飞凌)
CJ3400
CJ(江苏长电/长晶)
CL05A106MP5NUNC
SAMSUNG(三星)
CS48L10-CNZR
CirrusLogic(凌云逻辑)
EP3C120F780C8N
ALTERA(阿尔特拉)
IPTG007N06NM5ATMA1
Infineon(英飞凌)
IRFR2405TRPBF
IR(国际整流器)
LTC2600IGN#PBF
ADI(亚德诺)
LTC4413EDD-1#TRPBF
LINEAR(凌特)
MAX809LTRG
ON(安森美)
MM3Z18VT1G
ON(安森美)
MPQ8632GLE-8-Z
MPS(美国芯源)
MT48LC4M16A2P-6A:J
micron(镁光)
NCE0102
NCE Power(新洁能)
PIC18F4680-I/ML
Microchip(微芯)
SDR0805-221KL
Bourns(伯恩斯)
SIM-153MH+
Mini-Circuits
SN74HC273PWR
TI(德州仪器)
STB75NF75LT4
ST(意法)
STF24N60DM2
ST(意法)
STTH102AY
ST(意法)
TLE5009E2010
Infineon(英飞凌)
TPS7A0533PDBVR
TI(德州仪器)
TUSB7340RKMR
TI(德州仪器)
XF2M-3015-1A
OMRON(欧姆龙)
5M2210ZF324I5N
INTEL(英特尔)
74AHC1G04GV
Philips(飞利浦)
AD976AARZ
ADI(亚德诺)
ADUM121N0BRZ-RL7
ADI(亚德诺)
ATMEGA168-20MU
Microchip(微芯)
B240-13-F
Diodes(美台)
CH552T
WCH(南京沁恒)
DG408DY+T
Maxim(美信)
EP1K30QC208-3N
ALTERA(阿尔特拉)
ESD9X12ST5G
ON(安森美)
GRM31CR61A476ME15L
MURATA(村田)
HCPL0601R2
Avago(安华高)
JS28F064M29EWHA
INTEL(英特尔)
MIC2025-2YMM
MIC(昌福)
MP24833-AGN-Z
MPS(美国芯源)
N32G435CBL7
TI(德州仪器)
NC7SB3257P6X
ON(安森美)
NVT2008BQ
NXP(恩智浦)
PCA9535RGER
TI(德州仪器)
SGM61430XPS8G/TR
SGMICRO(圣邦微)
SN74LVC126ARGYR
TI(德州仪器)
TCC8601-00X-ECR-UG
Telechips
TL16C554APN
TI(德州仪器)
TM4C1231H6PZIR
TI(德州仪器)
TPS72118DBVR
TI(德州仪器)
TPS73250DBVR
TI(德州仪器)
TSMF1000
Vishay(威世)
V275LA20AP
Littelfuse(力特)
WSL1206R0100FEA
Vishay(威世)
XL2596S-12E1
XLSEMI(芯龙)
1775838-2
TE(泰科)
A20
Allwinner(全志)
ACPL-061L-500E
Avago(安华高)
AFGHL75T65SQDT
ON(安森美)
ATTINY3217-MNR
Microchip(微芯)
BD2242G-GTR
Rohm(罗姆)
CL05A106MQ5NUNC
SAMSUNG(三星)
HI-8382J
Harris Semiconductor
KID65004AF-EL/P
KEC
LM2576-ADJ
TI(德州仪器)
MAX1480BEPI+
Maxim(美信)
MM3Z8V2T1G
ON(安森美)
NEO-M8T-0-10
U-BLOX(优北罗)
NLV27WZ17DFT2G
ON(安森美)
NQ310A1EV/C101Y
NXP(恩智浦)
PDIUSBD12PWTM
ST(意法)
PT4115B89E-B
crpowtech(华润矽威)
RT9701GB
RICHTEK(台湾立锜)
SKRKAEE020
Alps Electric
SKY13385-460LF
Skyworks(思佳讯)
SN74AUC02RGYR
TI(德州仪器)
SN74LVC126ADR
TI(德州仪器)
STF203-22.TCT
Semtech(商升特)
STM32F410RBT7
ST(意法)
SY58040UMY
Microchip(微芯)
TLC320AC02IFNR
TI(德州仪器)
TLE4275QKVURQ1
Infineon(英飞凌)
TLE9351VSJ
Infineon(英飞凌)
TPL740F33-5TR
3PEAK(思瑞浦)
TPS2111APWR
TI(德州仪器)
TUSB2046BIVFRG4
TI(德州仪器)
ADA4522-1ARZ-R7
ADI(亚德诺)
ADM485JRZ-REEL
ADI(亚德诺)
ADUM3400ARWZ-RL
ADI(亚德诺)
ASM1184E
ASMedia
ATA6560-GAQW
Atmel(爱特梅尔)
AXK6A2337YG
Panasonic(松下)
B1212S-2WR3
MORNSUN(金升阳)
DB3
STARSEA
FPF2125
Fairchild(飞兆/仙童)
G3VM-61VY2
OMRON(欧姆龙)
IRF7769L1TRPBF
IR(国际整流器)
LM139DR
TI(德州仪器)
LMC7660IM/NOPB
TI(德州仪器)
MAX14840EASA+T
Maxim(美信)
MC3PHACVDWE
NXP(恩智浦)
MP8771GQ-Z
MPS(美国芯源)
OPA2197QDGKRQ1
TI(德州仪器)
PEB3086FV1.4
Infineon(英飞凌)
SN65HVD3082EDGKR
TI(德州仪器)
STM32F777NIH7
ST(意法)
STM32L011K4T6
ST(意法)
STVVGLNAT
ST(意法)
TAJC106K025RNJ
AVX(京瓷)
