PMV164ENEAR的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
PMV164ENEA
是否Rohs认证
符合
生命周期
Active
Objectid
8350881391
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Date Of Intro
2019-05-07
风险等级
7.7
Samacsys Manufacturer
Nexperia
Samacsys Modified On
2022-12-09 04:15:11
YTEOL
6.9
雪崩能效等级（Eas）
5 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
60 V
最大漏极电流 (ID)
1.6 A
最大漏源导通电阻
0.218 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)
11 pF
JEDEC-95代码
TO-236AB
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
175 °C
最低工作温度
-55 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
260
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
5.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
6.5 A
参考标准
AEC-Q101; IEC-60134
表面贴装
YES
端子面层
TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
PMV164ENEAR 场效应管的特性与应用研究
引言
场效应管（Field Effect Transistor, FET）作为一类重要的半导体器件，在现代电子设备中扮演着不可或缺的角色。PMV164ENEAR 是一种 N 沟道增强型场效应管，具有较好的开关特性和低导通电阻，广泛应用于功率管理、电源开关和信号放大等多个领域。本文将探讨 PMV164ENEAR 的结构、特性以及其在不同领域中的应用。
PMV164ENEAR 的基本结构
PMV164ENEAR 是一种主要由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）构成的三端器件。其关键结构为 N 沟道，意味着在器件的沟道中，主要的载流子是电子。器件的工作原理基于电场效应，当在栅极施加电压时，沟道内的电子浓度发生变化，从而影响漏极和源极之间的电流流动。
在 PMV164ENEAR 中，源极和漏极的材料通常采用掺杂的硅，栅极则为金属或多晶硅。该器件常常封装在小型化的封装中，以适应日益紧凑的电子设备设计。封装材料的选择和结构设计对其热性能和电气性能有着显著影响。
工作原理
PMV164ENEAR 的工作原理可以分为几个阶段。在关断状态下，栅极没有施加任何电压，沟道内的电子浓度非常低，几乎没有电流通过。这一状态也被称为“关断”状态。施加正电压到栅极后，电场的作用使得沟道内的电子浓度增加，形成一条导电通道，此时器件进入“开启”状态。具体说来，栅极电压的大小直接决定了导电沟道的宽度和导电性，这种电学特性使得 PMV164ENEAR 具有优良的电流开关特性。
在开启状态下，PMV164ENEAR 可以承载较大的电流，通常在数安培的范围内，且具备较低的导通电阻使得功率损耗得以控制。这种特性使得该器件在高频率、大电流和低损耗方面都有着显著的优势。
特性参数
PMV164ENEAR 的特性参数主要包括阈值电压、导通电阻、最大漏极电流和工作温度范围等。阈值电压是一个重要的指标，决定了栅极电压施加后沟道是否能够完全被点亮。导通电阻通常用 R_DS(on) 来表示，它直接影响到器件在导通时的功率损耗，R_DS(on) 低意味着在实际应用中可以表现出更高的效率。
此外，PMV164ENEAR 的最大漏极电流是指在特定的环境条件下，器件能够稳定承载的最大电流，超过这一值可能导致器件损坏或者性能下降。工作温度范围的设计则是为了保证器件在不同温度下的稳定性，不同的应用环境对温度的要求也有所不同，从而影响选型。
应用领域
PMV164ENEAR 广泛应用于多个领域，以下是一些主要的应用示例：
1. 电源管理：在电源管理模块中，PMV164ENEAR 可用作开关元件，根据控制信号调节电源的通断，实现高效的电能管理。
2. 电机驱动：在电机驱动电路中，该器件可以作为高效开关，用于控制电流的流入，从而准确调节电机的转速和扭矩表现。
3. 通信设备：由于其高频性能，PMV164ENEAR 可被用于各类通信设备，例如射频放大器和混频器等，能够实现信号的准确传输和处理。
4. LED 驱动：在 LED 照明应用中，该器件有助于在不同的亮度级别下保持恒定的电流，从而实现节能效果。
5. 电池管理系统：在电池管理系统中，PMV164ENEAR 被应用于充电和放电过程中的开关控制，确保充放电过程的高效和安全。
总结
PMV164ENEAR 场效应管凭借其优良的电气特性和广泛的应用前景，在现代电子设备中展示出了巨大的潜力。随着技术的不断发展，场效应管的设计和制造工艺也在不断进步，未来必将在更多新兴领域中发挥重要作用。高效能、低功耗的需求驱动着对更高性能 FET 的持续研发，PMV164ENEAR 不仅仅是显示当前技术水平的代表，同时也将在未来的电子技术创新中持续影响着各个行业的发展。
BTS50085-1TMA
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ST(意法)
STM8S003F3P6
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LM3481MM
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