MMBFJ113的详细参数
参数名称
参数值
Source Content uid
MMBFJ113
Brand Name
onsemi
是否无铅
不含铅
生命周期
Active
Objectid
4001115576
零件包装代码
SOT-23 (TO-236) 2.90x1.30x1.00, 1.90P
制造商包装代码
318
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Philippines
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
10 weeks
风险等级
0.95
Samacsys Description
ON Semiconductor MMBFJ113 N-Channel JFET, Idss min. 2mA, 3-Pin SOT-23
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.5
配置
SINGLE
最大漏源导通电阻
100 Ω
FET 技术
JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)
5 pF
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
DEPLETION MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.35 W
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
MMBFJ113 场效应管的特性与应用
引言
场效应管（Field Effect Transistor, FET）是一种利用电场来控制电流流动的半导体器件。与双极性晶体管（BJT）相比，场效应管在输入阻抗、功耗和热稳定性等方面具有显著优势。MMBFJ113是一种常见的N沟道场效应管，广泛应用于放大器、开关电路和射频应用等领域。本文将探讨MMBFJ113的基本特性、工作原理以及其在不同应用中的表现。
MMBFJ113的基本特性
MMBFJ113是一种N沟道增强型场效应管，采用表面贴装技术（SMD）封装，具有较小的体积和良好的热性能。其主要参数包括：
1. 漏极-源极电压（Vds）：MMBFJ113的最大漏极-源极电压通常为60V，这使其适用于中等电压的应用场合。 2. 漏极电流（Id）：该器件的最大漏极电流可达到0.5A，适合用于小功率电路。
3. 栅极-源极电压（Vgs）：MMBFJ113的栅极-源极电压范围通常为-20V至+20V，能够满足多种控制需求。
4. 输入阻抗：其高输入阻抗特性使得MMBFJ113在信号放大和开关应用中表现出色，能够有效降低信号源的负载。
5. 增益带宽积：该器件的增益带宽积通常较高，适合用于高频信号处理。
工作原理
MMBFJ113作为N沟道场效应管，其工作原理基于电场效应。在未施加栅极电压时，源极和漏极之间的通路是关闭的。当在栅极施加正电压时，电场作用于半导体材料中的载流子，形成一个导电通道，使得源极和漏极之间可以导通。栅极电压的大小决定了导电通道的宽度，从而调节漏极电流的大小。
在实际应用中，MMBFJ113可以通过调节栅极电压来实现对电流的精确控制。这一特性使得其在模拟电路中作为放大器使用时，能够有效放大输入信号。同时，由于其高输入阻抗，MMBFJ113在信号处理时不会对信号源造成显著负载，确保信号的完整性。
应用领域
1. 放大器电路：MMBFJ113广泛应用于音频放大器和射频放大器中。其高增益和宽频带特性使其能够有效放大微弱信号，适合用于高保真音频设备和无线通信系统。
2. 开关电路：在数字电路中，MMBFJ113可以作为开关元件使用。其快速的开关特性使得其在开关电源和脉冲调制应用中表现出色。通过调整栅极电压，可以实现对负载的精确控制，确保电路的高效运行。
3. 射频应用：在射频电路中，MMBFJ113由于其低噪声特性，常被用作射频放大器和混频器。其高输入阻抗和低输出阻抗特性使得其在射频信号处理中能够保持良好的信号质量。
4. 传感器应用：在传感器电路中，MMBFJ113可以用于信号调理和放大。通过与其他元件的组合，可以实现对微弱信号的检测和处理，广泛应用于环境监测、医疗设备等领域。
5. 电源管理：在电源管理系统中，MMBFJ113可用于电流限制和过压保护电路。其快速响应能力和高可靠性使得其在电源管理中能够有效保护负载和电源。
性能分析
在分析MMBFJ113的性能时，需要考虑其在不同工作条件下的表现。例如，在高频应用中，器件的寄生电容和电感将影响其增益和相位特性。因此，在设计电路时，需要仔细选择元件和布局，以减少寄生效应对信号质量的影响。此外，MMBFJ113的热性能也是一个重要的考虑因素。在高功率应用中，适当的散热措施能够确保器件在安全范围内工作，避免因过热导致的性能下降或损坏。
实际应用案例
在一个典型的音频放大器设计中，MMBFJ113可以作为输入级放大器，负责放大来自麦克风或其他音频源的微弱信号。设计时需要考虑输入阻抗与信号源的匹配，以确保信号的最大传输。通过调节栅极电压，可以实现对增益的精确控制，满足不同音频信号的放大需求。
在开关电源设计中，MMBFJ113可以作为开关元件使用。通过PWM（脉宽调制）控制栅极电压，可以实现对输出电压的调节。在这种应用中，器件的开关速度和导通电阻是关键参数，直接影响到电源的效率和稳定性。因此，设计时需要选择合适的驱动电路，以确保MMBFJ113能够快速切换，减少开关损耗。
在射频应用中，MMBFJ113的低噪声特性使其成为理想的射频放大器选择。在接收机设计中，器件的增益和噪声系数将直接影响系统的灵敏度和动态范围。因此，在设计过程中，需要仔细评估MMBFJ113的性能，以确保其满足特定频率范围内的要求。
未来发展方向
随着电子技术的不断进步，场效应管的应用领域也在不断扩大。未来，MMBFJ113及其衍生产品可能会在更广泛的领域中发挥作用，例如物联网、智能家居和自动驾驶等新兴技术。随着对功耗和性能要求的提高，针对MMBFJ113的改进和优化将成为研究的重点。通过新材料的应用和结构的优化，未来的场效应管有望在性能、稳定性和成本等方面实现更大的突破。
MMBFJ113
ON（安森美）
PBSS5350T
Philips(飞利浦)
PDTC114YT
Nexperia(安世)
PIC18F4480-I/PT
Microchip(微芯)
PMEG10010ELRX
NXP(恩智浦)
SGM61020XN5G/TR
SGMICRO(圣邦微)
SGM8632XS/TR
SGMICRO(圣邦微)
SN74ABT16245ADGGR
TI(德州仪器)
SSA34-E3/61T
Vishay(威世)
STF13N80K5
ST(意法)
STM32L100C6U6A
ST(意法)
STS4DNF60L
ST(意法)
TL431BIDR2G
ON(安森美)
TLC320AC02IPM
TI(德州仪器)
TPS65100RGER
TI(德州仪器)
USB3343-CP-TR
smsc
XC7K160T-2FBG676C
XILINX(赛灵思)
74HCT165D
Philips(飞利浦)
ATMEGA162-16PU
Atmel(爱特梅尔)
CY7C68053-56BAXI
Cypress(赛普拉斯)
DS90UB949TRGCTQ1
TI(德州仪器)
FAN9672Q
ON(安森美)
ITS5215L
Infineon(英飞凌)
LTC4353IMS#PBF
LINEAR(凌特)
MAX3223MDBREP
TI(德州仪器)
MP2322GQH-Z
MPS(美国芯源)
NCP1012ST65T3G
ON(安森美)
NCP1587DR2G
ON(安森美)
OPA2314AIDGK
TI(德州仪器)
PEX8734-AB80BIG
Broadcom(博通)
SN74AHC1G08QDCKRQ1
TI(德州仪器)
STC8A8K64D4-45I-LQFP64
STC(宏晶)
TLV320AIC12KIDBTR
TI(德州仪器)
VL813-Q7
VIA(台湾威盛)
1042240820
Molex(莫仕)
24FC512-I/SM
Microchip(微芯)
282110-1
TE(泰科)
3-1827233-6
TE(泰科)
A1220LUA-T
ALLEGRO(美国埃戈罗)
ADSP-BF537BBC-5A
ADI(亚德诺)
AFE4490RHAR
TI(德州仪器)
AMC1306M05DWVR
TI(德州仪器)
AT24C1024BW-SH25-B
Atmel(爱特梅尔)
BCM54618SEA2IFBG
Broadcom(博通)
FT4232H-56Q-REEL
FTDI(飞特帝亚)
HCPL-817-300E
Avago(安华高)
IRF9321TRPBF
IR(国际整流器)
IVC102U
TI(德州仪器)
LCMXO640C-3TN144I
Lattice(莱迪斯)
MAX17505ATP+T
Maxim(美信)
MAX6103EUR+T
Maxim(美信)
SN65LBC173ADR
TI(德州仪器)
STM32L051K6U6
ST(意法)
STM32L071RZT6
ST(意法)
TQP369185
Qorvo(威讯联合)
ADL5304ACPZ-R7
ADI(亚德诺)
ATTINY25-15SZ
Microchip(微芯)
AWR2243APBGABLQ1
TI(德州仪器)
BCM59111KMLG
Broadcom(博通)
BSC052N08NS5
Infineon(英飞凌)
CD74HC4094M96
TI(德州仪器)
DCR021205P-U
TI(德州仪器)
IPL60R085P7
Infineon(英飞凌)
LT6105IMS8#TRPBF
ADI(亚德诺)
LXML-PWC1-0100
Lumileds
MMSZ5229BT1G
LRC(乐山无线电)
MMSZ5261BT1G
ON(安森美)
MP2330GTL-Z
MPS(美国芯源)
SM15T68CA
ST(意法)
SM6T15A
Vishay(威世)
SZMM3Z5V1T1G
ON(安森美)
TA78L05F
TOSHIBA(东芝)
VLS6045EX-100M
TDK(东电化)
ACPL-M61L-000E
Avago(安华高)
AD5445YRUZ-REEL7
ADI(亚德诺)
BQ24210DQCR
TI(德州仪器)
CD4044BPWR
TI(德州仪器)
DAC8728SPAG
TI(德州仪器)
IRLU024NPBF
IR(国际整流器)
LCMXO2-1200HC-4MG132I
Lattice(莱迪斯)
MP87000GMJTH-Z
MPS(美国芯源)
OPA378AIDBVR
TI(德州仪器)
SN74HC594DR
TI(德州仪器)
SN74LXCH8T245PWR
TI(德州仪器)
ST16C554DIJ68TR-F
EXAR(艾科嘉)
TPS61080DRCT
TI(德州仪器)
XC3S1400A-4FGG484C
XILINX(赛灵思)
10M16SCU169C8G
ALTERA(阿尔特拉)
16PS-JED
JST(日压)
1N4007G
Vishay(威世)
AD8422BRMZ
ADI(亚德诺)
AO3442
Alpha (Taiwan)
BCR421UW6-7
Diodes(美台)
BLF861A
NXP(恩智浦)
BZT52C5V1
Diodes(美台)
CC3-0512DF-E
TDK-Lambda
D1020UK
FSA4480UCX
ON(安森美)
IRF9530PBF
IR(国际整流器)
IS281-4
ISOCOM COMPONENTS
ISL8273MAIRZ
Intersil(英特矽尔)
LMV932DR2G
ON(安森美)
LXT971ALE
INTEL(英特尔)
MAX3222CPWR
TI(德州仪器)
MAX3232EEAE+
Maxim(美信)
MAX708ESA-TG
Maxim(美信)
MCIMX6D6AVT08AE
Freescale(飞思卡尔)
MCP121T-315E/TT
Microchip(微芯)
MKA14103
OKI
PI2DBS6212ZHEX
PERICOM(百利通)
PSS50SA2FT
Mitsubishi Electric (三菱)
PZT2222A
Philips(飞利浦)
RTL8100CL-LF
REALTEK(瑞昱)
SI8422AB-D-ISR
Skyworks(思佳讯)
STM32F303R8T6
ST(意法)
TAJD106K050RNJ
AVX(京瓷)
TL081CP
NS(国半)
UJA1169ATK/3Z
NXP(恩智浦)
