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晶闸管便进人正向导电状态

发布时间:2017/10/20 21:33:41 访问次数:2959

    当控制极开路,阳极上加正向电压时,J1、J3结正偏,但⒓结反偏,

这与普通PN结的反向特性相似, NB3L553DR2G也只能流过很小的电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,的伏安特性发生了弯曲(oA段),弯曲处的电压σ:。称为正向转折电压。

   由于电压升高到⒓结的雪崩击穿电压后,Jz结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进人N1区,空穴进入”区。进人N1区的电子与由PI区通过J1结注人M区的空穴复合,同样,进入”区的空穴与由N2区通过阝结注人P9区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进人”区的空穴各自不能全部复合掉,这样在N1区就有电子积累,在”区就有空穴积累,结果使”区的电位升高,M区的电位下降,⒓结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,如图3-4所示的虚线⒕B段。这时J1、二个结均处于正偏,晶闸管便进人正向导电状态。此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,如图3-4所示的BC段。

   在控制极G上加入正向电压时,因B结正偏,”区的空穴进人吒区,Nz区的电子进入”区,形成触发电流f四。在晶闸管的内部正反馈作用的基础上,加上rcT的作用,使晶闸管提前导通,导致如图3-4所示的伏安特眭C,A段左移,垴越大,特眭左移越快。


    当控制极开路,阳极上加正向电压时,J1、J3结正偏,但⒓结反偏,

这与普通PN结的反向特性相似, NB3L553DR2G也只能流过很小的电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,的伏安特性发生了弯曲(oA段),弯曲处的电压σ:。称为正向转折电压。

   由于电压升高到⒓结的雪崩击穿电压后,Jz结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子进人N1区,空穴进入”区。进人N1区的电子与由PI区通过J1结注人M区的空穴复合,同样,进入”区的空穴与由N2区通过阝结注人P9区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进人”区的空穴各自不能全部复合掉,这样在N1区就有电子积累,在”区就有空穴积累,结果使”区的电位升高,M区的电位下降,⒓结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,如图3-4所示的虚线⒕B段。这时J1、二个结均处于正偏,晶闸管便进人正向导电状态。此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,如图3-4所示的BC段。

   在控制极G上加入正向电压时,因B结正偏,”区的空穴进人吒区,Nz区的电子进入”区,形成触发电流f四。在晶闸管的内部正反馈作用的基础上,加上rcT的作用,使晶闸管提前导通,导致如图3-4所示的伏安特眭C,A段左移,垴越大,特眭左移越快。


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