首先,根据测试出现的现象,推测可能导致保护器件损坏的原因如下。 GC2011A-PB

   (1)浪涌发生器输出异常,测试电压或电流值超过设置值。

   (2)TSS单体器件的浪涌通流能力达不到规格参数的标称等级。但是,经过现场确认和实验测试,两种原因均不能成立,因为:①用电流环与示波器进行浪涌发生器原波检测,浪涌发生器波形和能量输出正常;②对单体器件进行最高浪涌测试等级(电流波形为10/7O0△,s,测试电压为6kⅤ,而是内阻为婀Ω,正负各5次),且批量测试验证,实验后器件参数依旧正常,TSS元器件浪涌承受能力不存在问题。那是什么原因导致保护器件规格参数均符合设计要求,在测试等级远低于器件最大电压、最大电流承受能力时也发生损坏呢,仔细分析被测产品的设计原理图后发现串口连接的信号地(AGND)与

保护地(EGND)之间并联了14个容值为2.211F的电容,用万用表实际测量TSS两端电容值为30nF。这样在进行信号地(AGND)与保护地(EGND)之间浪涌测试时,浪涌电流会在被击穿导通之前对电容进行充电,会对TSS进行反向放电,即图4,119致保护器件(TSs)损坏,图4.120波形图。