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   线性区域、饱和区域和夹断电压

   如果固定场效应晶体管的栅电压,对器件进行漏电压扫描,可获得电流-漏电压曲线frD~‰),该曲线反映了器件的输出特性,如图3,8所示。图中可以看出,输出电流的大小随着栅电压的增大而增大。当没有加载栅电压时,就没有输出电流,器件处于关状态(cutofO。这点比较容易理解,在场效应晶体管中,由于沟道的导电性正比于电荷数目,而电荷数目正比于栅电压,因此器件导电性随栅电压的增大而提高。

    图3,8中的曲线

分为两个区域,即线性区和饱和区。在线性区域内,漏电压很小,栅电压远远大于漏电压,这时电流与漏电压成正比,r~/曲线呈直线型;在饱和区域内,漏电压超过了栅电压,电流不再随漏电压的增大而增大,而是趋于饱和,这个区域的电流通常为一定栅电压下场效应晶体管器件的输出电流。一定的栅电压下,在线性区域和饱和区域之间,存在一个转折点,该点对应的漏电压是夹断电压。场效应晶体管的这种输出特性,与沟道中载流子随栅电压、漏电压的变化密切相关,如图3.9所示。