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内部续流二极管兼备快速恢复和高恢复软度确保导通损耗

发布时间:2023/8/13 11:03:03 访问次数:327

低TCR(<20PPM/℃)的固态金属镍铬或锰铜合金电阻芯,在0805封装尺寸内实现了高功率电阻,同时保持Power Metal Strip结构优异的电气特性。器件的小尺寸使其能替换较大尺寸的检流电阻,节省电路板上的空间,从而为消费者设计出更小、更轻的产品。

功率耗散是其他0805封装尺寸器件的8倍,非常适合各种类型的检流和脉冲应用,包括引擎、传动、音响和温度控制等汽车电子控制装置中的开关和线性电源、仪表、功率放大器,以及旁路电阻;

用于服务器、笔记本电脑的VRM、锂离子电池安全和管理的DC/DC转换器。为提高可靠性,电阻减小了与PCB不匹配的CTE(热膨胀系数),降低由于热循环导致焊点开裂的可能性。

S系列IGBT提供15A、25A、40A三个额定电流值,采用标准引脚或TO-247加长引脚封装。

全系产品标配最新的内部续流二极管,兼备快速恢复和高恢复软度,确保IGBT具有超低电磁干扰和导通损耗。

作为8kHz最高开关频率硬开关拓扑的理想选择,新款S系列采用第三代沟栅式场截止型制造工艺,补充并完善了1200V IGBT的M系列和H系列的市场布局,M系列和H系列产品分别定位在20kHz与20kHz以上的开关电源市场,与新款S系列一起,这三大系列产品将成为常用开关频率电源厂商针对先进、高能效IBGT器件的最佳选择。

HiperPFS-3 IC集成有一个可在轻载时激活的数字式功率因数增强电路;该电路可增加相移补偿,以克服X电容在EMI滤波电路中的电抗,从而减小输入电压与电流之间的相位角差。

因此,设计师可增加X电容的尺寸,同时减小或省去差模扼流圈,从而在不降低轻载功率因数性能的情况下降低EMI。这样可降低EMI滤波级的成本,并减小其尺寸。

S系列 1200V IGBT绝缘栅双极晶体管。当开关频率达到8kHz时,新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低,大幅度提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业电机等类似设备的电源转换效率。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

低TCR(<20PPM/℃)的固态金属镍铬或锰铜合金电阻芯,在0805封装尺寸内实现了高功率电阻,同时保持Power Metal Strip结构优异的电气特性。器件的小尺寸使其能替换较大尺寸的检流电阻,节省电路板上的空间,从而为消费者设计出更小、更轻的产品。

功率耗散是其他0805封装尺寸器件的8倍,非常适合各种类型的检流和脉冲应用,包括引擎、传动、音响和温度控制等汽车电子控制装置中的开关和线性电源、仪表、功率放大器,以及旁路电阻;

用于服务器、笔记本电脑的VRM、锂离子电池安全和管理的DC/DC转换器。为提高可靠性,电阻减小了与PCB不匹配的CTE(热膨胀系数),降低由于热循环导致焊点开裂的可能性。

S系列IGBT提供15A、25A、40A三个额定电流值,采用标准引脚或TO-247加长引脚封装。

全系产品标配最新的内部续流二极管,兼备快速恢复和高恢复软度,确保IGBT具有超低电磁干扰和导通损耗。

作为8kHz最高开关频率硬开关拓扑的理想选择,新款S系列采用第三代沟栅式场截止型制造工艺,补充并完善了1200V IGBT的M系列和H系列的市场布局,M系列和H系列产品分别定位在20kHz与20kHz以上的开关电源市场,与新款S系列一起,这三大系列产品将成为常用开关频率电源厂商针对先进、高能效IBGT器件的最佳选择。

HiperPFS-3 IC集成有一个可在轻载时激活的数字式功率因数增强电路;该电路可增加相移补偿,以克服X电容在EMI滤波电路中的电抗,从而减小输入电压与电流之间的相位角差。

因此,设计师可增加X电容的尺寸,同时减小或省去差模扼流圈,从而在不降低轻载功率因数性能的情况下降低EMI。这样可降低EMI滤波级的成本,并减小其尺寸。

S系列 1200V IGBT绝缘栅双极晶体管。当开关频率达到8kHz时,新系列双极器件的导通和关断综合损耗创市场新低,大幅度提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业电机等类似设备的电源转换效率。

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