TLE8458Gx在较宽频率范围内实现非常低电磁辐射(EME)水平
发布时间:2023/9/10 16:03:18 访问次数:140
双路多相同步降压DC/DC控制器,能驱动所有的N沟功率MOSFET,输入电压从4.5V到38V,基准电压0.6V,精度±0.75%,可锁相的固定频率从250kHz到770kHz,可编程的突发模式或级屏蔽,以获得轻负载的最大效率.效率高达95%.
主要用在电信和数据通信,工业和医疗设备,DC电源分布系统和计算机系统.
集成的高边调光p沟道MOSFET驱动器和高边电流检测放大器可检测短路故障，并在发生短路故障时保护LED、驱动器和电池。在输出与地、输入与输出之间均提供该短路保护电路。
Infineon的SPT智能电源技术,TLE8458Gx具有较强的ESD耐用性以及电磁抗扰性（EMI）.TLE8458Gx在较宽的频率范围内实现了非常低的电磁辐射（EME）水平.
TLE8458Gx产品系列和Infineon SPT技术符合ACE要求,并可应用于相对恶劣汽车环境中。
超高速USB3.0解决方案，该方案为整体的方案，包括主芯片、接头、电缆线、闪存、稳压等我们并可提供线路布线及技术支持。
USB3.0方案之特点是能使SATA-II超高速地与外部设备连接通讯，而其传输速度是USB2.0的10倍以上并且兼容现有的USB2.0与USB1.1。
在射频芯片方面，在TD领域表现良好的广晟微电子的工程样片已经流片，但是根据芯片厂商的说法，目前TD- LTE射频芯片严重缺失，专用射频芯片入门条件很高，普通的射频芯片无法满足测试，现在大多厂商都在使用联芯科技提供的一款射频芯片。
在此次TD-LTE工作组组织的测试中，基于ASIC的海思及创毅视讯、基于FPGA的重邮信科、联芯科技及苏州简约纳等6家芯片厂商参与了与系统的互通测试。
阶段性的测试结果显示，目前芯片的进展不是很乐观，芯片进度需要进一步加快。
深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com
双路多相同步降压DC/DC控制器,能驱动所有的N沟功率MOSFET,输入电压从4.5V到38V,基准电压0.6V,精度±0.75%,可锁相的固定频率从250kHz到770kHz,可编程的突发模式或级屏蔽,以获得轻负载的最大效率.效率高达95%.
主要用在电信和数据通信,工业和医疗设备,DC电源分布系统和计算机系统.
集成的高边调光p沟道MOSFET驱动器和高边电流检测放大器可检测短路故障，并在发生短路故障时保护LED、驱动器和电池。在输出与地、输入与输出之间均提供该短路保护电路。
Infineon的SPT智能电源技术,TLE8458Gx具有较强的ESD耐用性以及电磁抗扰性（EMI）.TLE8458Gx在较宽的频率范围内实现了非常低的电磁辐射（EME）水平.
TLE8458Gx产品系列和Infineon SPT技术符合ACE要求,并可应用于相对恶劣汽车环境中。
超高速USB3.0解决方案，该方案为整体的方案，包括主芯片、接头、电缆线、闪存、稳压等我们并可提供线路布线及技术支持。
USB3.0方案之特点是能使SATA-II超高速地与外部设备连接通讯，而其传输速度是USB2.0的10倍以上并且兼容现有的USB2.0与USB1.1。
在射频芯片方面，在TD领域表现良好的广晟微电子的工程样片已经流片，但是根据芯片厂商的说法，目前TD- LTE射频芯片严重缺失，专用射频芯片入门条件很高，普通的射频芯片无法满足测试，现在大多厂商都在使用联芯科技提供的一款射频芯片。
在此次TD-LTE工作组组织的测试中，基于ASIC的海思及创毅视讯、基于FPGA的重邮信科、联芯科技及苏州简约纳等6家芯片厂商参与了与系统的互通测试。
阶段性的测试结果显示，目前芯片的进展不是很乐观，芯片进度需要进一步加快。
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