80V功率MOSFET还只能在6V或更高的栅极驱动下才能导通
发布时间:2023/10/28 23:17:40 访问次数:251
低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK® SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。
SiR880DP针对通信负载点应用的隔离式DC-DC转换器中初级侧开关进行了优化。非常低的导通电阻意味着可减少功率损耗和实现更绿色的解决方案，尤其是在待机模式这样的轻负载条件下。
截止目前，其他80V功率MOSFET还只能在6V或更高的栅极驱动下才能导通。
新增超过25个免费模块化数字电源软件块，可显著降低编程技术挑战。
此外，高电压PFC开发套件还包含在终端产品中快速实施数字功率因数校正(PFC)所需的全部软硬件，可确保符合相关标准要求。
DS1877监测四路模拟通道：温度、VCC和两路外部差分信号。
两个接收器通道持续监测信号丢失(LOS)状态，支持全部LOS功能。DS1877工作在-40°C至+95°C温度范围，采用5mmx5mm、28引脚TQFN封装。
有源PFC控制器产品FAN7930以满足需求，用于临界导通模式的升压PFC应用。
该器件适用于LCD和PDP TV应用，以及200W以下需强制使用PFC的应用，包括功率超过25W的C类照明设备，以及超过75W的D类PC、电视和监视器等。
FAN7930使用电压模式PWM，通过比较内部斜坡信号的电压和误差放大器的输出电压，获得MOSFET关断信号。由于电压模式CRM PFC控制器不需要经整流的AC线路电压信息，可以省去电流模式CRM PFC控制器所需的输入电压感测网络，从而节省功率。
深圳市裕硕科技有限公司http://yushuollp.51dzw.com
低导通电阻技术的首款TrenchFET®功率MOSFET --- ThunderFET™ SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK® SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低导通电阻。
SiR880DP针对通信负载点应用的隔离式DC-DC转换器中初级侧开关进行了优化。非常低的导通电阻意味着可减少功率损耗和实现更绿色的解决方案，尤其是在待机模式这样的轻负载条件下。
截止目前，其他80V功率MOSFET还只能在6V或更高的栅极驱动下才能导通。
新增超过25个免费模块化数字电源软件块，可显著降低编程技术挑战。
此外，高电压PFC开发套件还包含在终端产品中快速实施数字功率因数校正(PFC)所需的全部软硬件，可确保符合相关标准要求。
DS1877监测四路模拟通道：温度、VCC和两路外部差分信号。
两个接收器通道持续监测信号丢失(LOS)状态，支持全部LOS功能。DS1877工作在-40°C至+95°C温度范围，采用5mmx5mm、28引脚TQFN封装。
有源PFC控制器产品FAN7930以满足需求，用于临界导通模式的升压PFC应用。
该器件适用于LCD和PDP TV应用，以及200W以下需强制使用PFC的应用，包括功率超过25W的C类照明设备，以及超过75W的D类PC、电视和监视器等。
FAN7930使用电压模式PWM，通过比较内部斜坡信号的电压和误差放大器的输出电压，获得MOSFET关断信号。由于电压模式CRM PFC控制器不需要经整流的AC线路电压信息，可以省去电流模式CRM PFC控制器所需的输入电压感测网络，从而节省功率。
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