改进型SOT-223-2L封装使设计人员利用小型分立器件满足更高电压应用
发布时间:2024/4/6 17:31:12 访问次数:49
CPC3981Z一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装去掉了中间引脚。 这将漏极与栅极之间的引脚间距从1.386毫米增加到超过4毫米。 爬电距离延长有利于开关模式电源设备（SMPS）或功率因数校正（PFC）启动电路等更高电压应用，因为设计人员可以避免昂贵的保形涂料或灌封。
CPC3981Z的主要区别在于其改进型SOT-223-2L封装，使设计人员能够利用小型分立器件满足更高电压应用所需的延长爬电距离。
由于爬电距离更大，CPC3981Z提高了电路的可靠性，并有助于节约成本。
一套综合的仿真流程，包含有电源直流分析、电源频域阻抗分析、去耦电容优化、信号拓扑提取、信号互连模型提取和热分析等多个关键应用。
2.5D/3DIC先进封装电磁仿真工具Metis的仿真性能得到了进一步的提升。
升级后的高速系统仿真套件Expert系列中的其它工具，包括SnpExpert, ViaEpxert, CableExpert, TmlExpert，进一步提高了易用性和用户体验，添加了更多内置的模板，以更轻松迅捷地实现S 参数、过孔、电缆、传输线的分析评估等。
TLP3475W采用优化的封装设计，这有助于降低新型光继电器的寄生电容和电感。
降低插入损耗的同时还可将高频信号的传输特性提高到20GHz（典型值）——与现有产品TLP3475S相比，插入损耗降低了约1/3。
TLP3475W采用厚度仅为0.8mm（典型值）的小巧纤薄的WSON4封装，是目前业界最小的光继电器，其成功的改善了高频信号传输特性。它的厚度比超小型S-VSON4T封装还薄40%，且支持在同一电路板上贴装更多产品，将有助于提高测量效率。
CPC3981Z一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
与标准SOT-223封装相比，这款新产品的SOT-223-2L封装去掉了中间引脚。 这将漏极与栅极之间的引脚间距从1.386毫米增加到超过4毫米。 爬电距离延长有利于开关模式电源设备（SMPS）或功率因数校正（PFC）启动电路等更高电压应用，因为设计人员可以避免昂贵的保形涂料或灌封。
CPC3981Z的主要区别在于其改进型SOT-223-2L封装，使设计人员能够利用小型分立器件满足更高电压应用所需的延长爬电距离。
由于爬电距离更大，CPC3981Z提高了电路的可靠性，并有助于节约成本。
一套综合的仿真流程，包含有电源直流分析、电源频域阻抗分析、去耦电容优化、信号拓扑提取、信号互连模型提取和热分析等多个关键应用。
2.5D/3DIC先进封装电磁仿真工具Metis的仿真性能得到了进一步的提升。
升级后的高速系统仿真套件Expert系列中的其它工具，包括SnpExpert, ViaEert, CableExpert, TmlExpert，进一步提高了易用性和用户体验，添加了更多内置的模板，以更轻松迅捷地实现S 参数、过孔、电缆、传输线的分析评估等。
TLP3475W采用优化的封装设计，这有助于降低新型光继电器的寄生电容和电感。
降低插入损耗的同时还可将高频信号的传输特性提高到20GHz（典型值）——与现有产品TLP3475S相比，插入损耗降低了约1/3。
TLP3475W采用厚度仅为0.8mm（典型值）的小巧纤薄的WSON4封装，是目前业界最小的光继电器，其成功的改善了高频信号传输特性。它的厚度比超小型S-VSON4T封装还薄40%，且支持在同一电路板上贴装更多产品，将有助于提高测量效率。
相关技术资料- 5-3车灯驱动芯片IC这通常涉及到电源转换和驱动电路的设计
- 5-3极高的集成度缩小充电器体积为用户带来便捷高效充电体验
- 5-3光照射在光阴极上产生光电子经过多级倍增过程产生电流信号
- 5-3电池供电Wi-Fi电源效率及管理由数百台设备组成大型物联网网络
- 5-3高性能计算机断层扫描设备中实现光电二极管阵列信号数字化
- 5-3示波器峰峰值测量模式和频率测量模式检测电压纹波幅值和频率
- 5-3驱动/采样隔离供电因功率相对较大布局相对集中倾向于采用变压器外置
- 5-3利用研发的摩擦学技术可以使润滑脂作为主轴和进给轴润滑剂
- 5-3这种设计改进和主动冷却选项将电容器纹波电流能力提高85%
- 5-3模拟集成电路中应用最广泛是一个高增益直接耦合多级放大电路
- 5-3恒流源和电流源代替大的集电极电阻和提供微小的偏量电流
- 5-3XVF3800在高音量扬声器输出的情况下也能提取清晰的语音信号
公网安备44030402000607
