SBD产品致力于扩充支持更大电流更高电压和小型化的阵容
发布时间:2024/4/6 18:31:33 访问次数:53
与同等性能产品相比，RBR系列的芯片尺寸更小，使得ROHM小型封装的产品阵容得以进一步扩充。
例如，以往3.5mm×1.6mm尺寸（PMDU封装）的产品，现在可以替换为RBR系列2.5mm×1.3mm尺寸（PMDE封装）的产品，这样可以减少约42%的安装面积。
进一步增强了满足VF特性和IR特性平衡需求的SBD产品阵容，并致力于扩充支持更大电流、更高电压和小型化的产品阵容。
有D（EIA 7343-31）和V（EIA 7343-20）两种小型封装版本，2.5V至35V额定电压下，容量为6.8µF至330µF，容量公差为20%。电容器采用高导电聚合物阴极系统，+25°C条件下，超低ESR从120mΩ下降到40mΩ。
T51系列器件设计牢固，适用于各种恶劣环境，工作温度可达+125°C，温度超过+105 °C时需降低工作电压，高温使用寿命达到2000小时。
电容器纹波电流达到2.37A，是高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息娱乐系统以及其他车载电子系统开关电源和负载点（POL）电源去耦、平滑和滤波电容的理想选择。
MLX90423采用Melexis Triaxis®霍尔技术,可在需要抑制杂散磁场干扰的情况下，实现高达30mm的线性位移（绝对线性）。这种精度通常只能通过先进的感应技术才能实现。
MLX90423是一款高度集成的磁位置传感器芯片，包含一个Triaxis®霍尔磁感前端、一个模数信号调节器、一个用于高级信号处理的DSP和一个可编程的输出级驱动器。
通过感应施加到芯片上的磁感应强度的三个分量（Bx、By和Bz），MLX90423可以解码线性移动磁体的绝对位置。
与同等性能产品相比，RBR系列的芯片尺寸更小，使得ROHM小型封装的产品阵容得以进一步扩充。
例如，以往3.5mm×1.6mm尺寸（PMDU封装）的产品，现在可以替换为RBR系列2.5mm×1.3mm尺寸（PMDE封装）的产品，这样可以减少约42%的安装面积。
进一步增强了满足VF特性和IR特性平衡需求的SBD产品阵容，并致力于扩充支持更大电流、更高电压和小型化的产品阵容。
有D（EIA 7343-31）和V（EIA 7343-20）两种小型封装版本，2.5V至35V额定电压下，容量为6.8µF至330µF，容量公差为20%。电容器采用高导电聚合物阴极系统，+25°C条件下，超低ESR从120mΩ下降到40mΩ。
T51系列器件设计牢固，适用于各种恶劣环境，工作温度可达+125°C，温度超过+105 °C时需降低工作电压，高温使用寿命达到2000小时。
电容器纹波电流达到2.37A，是高级驾驶辅助系统（ADAS）、信息娱乐系统以及其他车载电子系统开关电源和负载点（POL）电源去耦、平滑和滤波电容的理想选择。
MLX90423采用Melexis Triaxis®霍尔技术,可在需要抑制杂散磁场干扰的情况下，实现高达30mm的线性位移（绝对线性）。这种精度通常只能通过先进的感应技术才能实现。
MLX90423是一款高度集成的磁位置传感器芯片，包含一个Triaxis®霍尔磁感前端、一个模数信号调节器、一个用于高级信号处理的DSP和一个可编程的输出级驱动器。
通过感应施加到芯片上的磁感应强度的三个分量（Bx、By和Bz），MLX90423可以解码线性移动磁体的绝对位置。
相关技术资料- 5-22电源条件严苛在低电压输出条件下确保±5%以内稳定运行高端ADAS应用
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公网安备44030402000607
