单个MOS的GS和DS开路失效条件下功率回路断开系统可靠关断
发布时间:2024/4/10 18:58:01 访问次数:41
在单个MOS的DS、GD、GS、GDS短路等失效条件下，可以保证系统功能正常，阻断故障点的扩大。
但是在单个MOS的GS和DS开路失效条件下，功率回路断开，系统可靠关断。
双管冗余驱动方案在MOS的GS和DS开路失效下，系统的功能异常，在双管冗余驱动方案上进一步改进，将MOS和驱动线路加倍，双路MOS并联在一起，可以保证在MOS的GS和DS开路失效条件下，系统功能正常。
10位具有3.3VDC VREF的ADC将拥有0.0032VDC的电压步长。
MCP3221是带两线串行，和I2C兼容的接口的逐次逼近12位ADC。用MCP3221在400KHz时钟速率的快转换模式下，有可能得到的最高取样速率为22.3K次/秒。
低等待速率和低转换电流使MCP3221适合用在以电池为能源的地方。
采用MCP3221，设计者可使用I2C总线和多达8个不同器件的地址，这使他能通过改变地址来读取另外器件的数据，从而简化了代码。I2C接口是标准的控制总线，可用在需要和外设IC通信的地方。
提供抖动噪声的更佳方法是将热敏电阻分压器的Vcc和VREF.分开（将MCU的内部VREF用于ADC）。
目标市场包括智能手机和笔记本电脑的快充充电器，包括一体机、电视、家庭网络和自动化设备。GaNSense技术已被用于部分一线消费电子品牌的氮化镓充电器上。
已经有超过3000万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片出货，在现场测试实现了超过1160亿个设备小时，并且没有任何关于GaN现场故障的报告。
深圳市维基鸿电子有限公司http://wjydz01.51dzw.com
在单个MOS的DS、GD、GS、GDS短路等失效条件下，可以保证系统功能正常，阻断故障点的扩大。
但是在单个MOS的GS和DS开路失效条件下，功率回路断开，系统可靠关断。
双管冗余驱动方案在MOS的GS和DS开路失效下，系统的功能异常，在双管冗余驱动方案上进一步改进，将MOS和驱动线路加倍，双路MOS并联在一起，可以保证在MOS的GS和DS开路失效条件下，系统功能正常。
10位具有3.3VDC VREF的ADC将拥有0.0032VDC的电压步长。
MCP3221是带两线串行，和I2C兼容的接口的逐次逼近12位ADC。用MCP3221在400KHz时钟速率的快转换模式下，有可能得到的最高取样速率为22.3K次/秒。
低等待速率和低转换电流使MCP3221适合用在以电池为能源的地方。
采用MCP3221，设计者可使用I2C总线和多达8个不同器件的地址，这使他能通过改变地址来读取另外器件的数据，从而简化了代码。I2C接口是标准的控制总线，可用在需要和外设IC通信的地方。
提供抖动噪声的更佳方法是将热敏电阻分压器的Vcc和VREF.分开（将MCU的内部VREF用于ADC）。
目标市场包括智能手机和笔记本电脑的快充充电器，包括一体机、电视、家庭网络和自动化设备。GaNSense技术已被用于部分一线消费电子品牌的氮化镓充电器上。
已经有超过3000万颗纳微GaNFast氮化镓功率芯片出货，在现场测试实现了超过1160亿个设备小时，并且没有任何关于GaN现场故障的报告。
深圳市维基鸿电子有限公司http://wjydz01.51dzw.com
相关技术资料- 5-3控制外部的充放电MOS关断从而提供精准的保护功能
- 5-2电池的尺寸增加也是有限制的为了更有效地利用有限的电池电量
- 5-2新产品降低因元器件之间接触而导致短路风险有助于设备安全运行
- 5-2电感式编码器可靠优势与中高端光学编码器具有高精度与高转速相结合
- 5-2晶圆工艺和低电阻技术有助于抑制开关噪声降低能耗
- 5-2940nm的SFH 4182S采用带透镜封装厚度仅为1.31mm
- 5-2优化后光束形状便于脸部识别对均匀度要求较高的近距离红外补光
- 5-2在充电桩上因为相对更可控而且在频率等各种特性上也更优异
- 5-2产品变型有效补充现有对称式2功率/8信号和4功率/8信号触点布局
- 5-2扁线工艺的电机无论功率密度还是电机效率都大幅度提升
- 5-2变送器采用法兰安装适用于管道测量温度湿度两路4-20mA输出
- 5-2传感器采用电压输出方式与电路接口对接实现数据快速传输和处理
公网安备44030402000607
