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传感器高功能化需要大电流输出应用及随着传感器安装数量的增加

发布时间:2024/4/22 0:28:45 访问次数:38

新产品S-19721系列具备业界最低等级(※1)失调电压,在为ECU外部的传感器和元器件供电时,可以实现准确的传感器读数。

由于S-19721系列可以输出最大250mA的电流,还可用于、因传感器的高功能化而需要大电流输出的应用、以及随着传感器安装数量的增加,需向多个传感器一起供电的应用。

本系列不仅具备检测IC的异常状态并输出到 INT端子的异常通知功能,还备有各种保护电路,使在线束出现故障的情况下,也能保护ECU。

可垂直堆叠数层储存资料的3D NAND Flash技术使单位储存成本大幅下降后,SSD便突破传统平面式快闪记忆体的物理极限,扩大了以往因顾及制造工艺而受限的容量规格。

在3D NAND Flash改采垂直立体的堆叠方式来扩增容量后,每一层储存单位微缩程度不需太大,使TLC SSD能在保持低廉价格的同时,也逐渐减少与MLC SSD在使用寿命上(可抹写次数)的差距。

ISO808A和 ISO808A-1具有串行 SPI 输入引脚和开漏电源正常(Pgood)指示引脚,方便系统管理。全系产品都有一个专用的故障指示引脚。

保护机制是通过监测通道温度和外壳温度发现过载事件,当发现过载时,通道关闭,然后,通道自动重新开通,快速恢复到正常状态,尽量减少主控制器介入。如果故障仍然存在,通道将再次关闭。

控制侧电源轨 (VDD)和处理侧(VCC)电源轨具有接地断路保护、反极性保护、短路保护、外壳热保护,以及欠压关断功能。

Nexperia在其庞大的产品组合中增加了IGBT,满足了市场对于高效高压开关器件不断增长的需求以及在性能和成本方面的要求。

深圳市品德冠科技有限公司http://jzskj.51dzw.com

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由于S-19721系列可以输出最大250mA的电流,还可用于、因传感器的高功能化而需要大电流输出的应用、以及随着传感器安装数量的增加,需向多个传感器一起供电的应用。

本系列不仅具备检测IC的异常状态并输出到 INT端子的异常通知功能,还备有各种保护电路,使在线束出现故障的情况下,也能保护ECU。

可垂直堆叠数层储存资料的3D NAND Flash技术使单位储存成本大幅下降后,SSD便突破传统平面式快闪记忆体的物理极限,扩大了以往因顾及制造工艺而受限的容量规格。

在3D NAND Flash改采垂直立体的堆叠方式来扩增容量后,每一层储存单位微缩程度不需太大,使TLC SSD能在保持低廉价格的同时,也逐渐减少与MLC SSD在使用寿命上(可抹写次数)的差距。

ISO808A和 ISO808A-1具有串行 SPI 输入引脚和开漏电源正常(Pgood)指示引脚,方便系统管理。全系产品都有一个专用的故障指示引脚。

保护机制是通过监测通道温度和外壳温度发现过载事件,当发现过载时,通道关闭,然后,通道自动重新开通,快速恢复到正常状态,尽量减少主控制器介入。如果故障仍然存在,通道将再次关闭。

控制侧电源轨 (VDD)和处理侧(VCC)电源轨具有接地断路保护、反极性保护、短路保护、外壳热保护,以及欠压关断功能。

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