在高压分立硅MOSFET市场的领导地位，特别是在1700 V以上。开发高达4700V的行业最高电压阻断能力,因此是1700V以上高压分立Si mosfet的市场领导者。没有其他制造商提供这种高压水平的分立硅mosfet。

拥有坚固可靠的设备，具有竞争力的产品性能，专利包装技术和领先的技术专长的产品组合使Littelfuse能够成功地支持客户开发苛刻的应用程序。

高级驾驶辅助系统（ADAS）的广泛采用，汽车摄像头的性能也得到了显著提升。

对于低谐波电流失真问题，AEA800F采用有源功率因数校正器（PFC）和在开关段采用最新一代功率半导体LLC谐振拓扑对电流失真问题进行处理，经典效率高达95%。

AEA800F可以通过并联获得更大的功率，最多可六个单元并联使用。并联使用时，可以通过 “Master” 单元调节输出电压， “Slaves” 会自动整齐地将其输出电压调节为相等的值。

将继续扩大产品组合，以满足更广泛的汽车应用对更高速度和更大容量变速器的需求。

AEA800F的输入电压为85-264VAC，适用于全球。它提供三种输出电压：24V、36V和48V，输出额定电流分别为34A（峰值72.5A）、22.7A（峰值48.4A）和17A（峰值36.3A），还可以使用内置电位计自行调节输出电压。

对于医疗应用，AEA800F输入到输出的隔离为2MOPP，输入到地为1MOPP，输出到地为1MOPP，因此适用于浮体（BF）应用。该产品已经通过了ANSI/AAMI ES60601-1和第三版EN60601-1认证。

与当前一代AE4产品相比，用于IGBT的硅基AE5工艺可将功率损耗降低10%，这一节能技术将有助于EV开发人员节省电池电量并增加行驶里程。

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