- 离子注人相关理论基础2017/5/15 21:14:26 2017/5/15 21:14:26
- 在集成电路制造中,注入离子的能量一般为5~500keV.而注入的叉往往是重离子。这样的注人情况,进人靶内的离子不仅与靶内的自由电子和束缚电子发生相互作用,而且与靶内原子核发生相互作用。PA905...[全文]
- 表面外延过程2017/5/9 21:41:45 2017/5/9 21:41:45
- 此表面外延过程示意图如图⒊6所示。气相质LD1117S18TR量传递到达衬底表面的sH1分子被衬底吸附,见图⒊6巾的1;由于衬底温度高,使得衬底吸附的SiFI4分解成为1个⒊原子和4个H...[全文]
- 硅晶体缺陷 2017/5/7 16:44:13 2017/5/7 16:44:13
- 在微电子产品中作为衬底材料的硅是高度完整的晶体。尽管如此,在高度完整的晶体内部也会存在微量缺陷。而且,在制作微电子产品的工艺过程中,GA1L4M-T1硅晶体内也会产生缺陷,并且会根据需要人为地掺...[全文]
- 化学气相淀积等新工艺2017/5/6 17:38:49 2017/5/6 17:38:49
- 1960年外延技术出现,诞生了外延晶体管。20世纪7o年代初,美国研制出第一台离子注人机,NAND01GW3B2CN6E使在硅片的定域掺杂更精确、更均匀,可以在更薄的表面层内实现精确掺杂,由此集...[全文]
- FY-1电子学系统2017/5/4 19:38:23 2017/5/4 19:38:23
- FY-1电子学系统(图5-33)可见光前置放大器置于扫描器后部,红外前置放大器装在靠近辐冷器的卫星体适当位置。Q71800020000099接收的目标辐射经光学系统会聚在光电探测器...[全文]
- 对于确保我国静止气象卫星观测业务的连续稳定运行具有重要的意义2017/5/3 21:43:50 2017/5/3 21:43:50
- 到2012年为止中国已成功发射6颗地球静止气象卫星,其中01批卫星FY-2A、FY-2B和FY-2C已停止工作,脱离了地球同步轨道。M29F002BT-70K1目前在轨运行,并提供应用服务的是∞...[全文]
- 捕获区的要求2017/5/2 21:22:24 2017/5/2 21:22:24
- 捕获区的要求。捕获区M25P16-VMF6P是用来捕获目标的,要求捕获区有一定宽度,以防止丢失目标。这一段特性可呈下降形式,也可使特性曲线在整个视场内都呈单调上升形式。跟踪系统的最大跟踪角速度、...[全文]
- 非轴对称光学系统的畸变校正2017/5/1 14:13:15 2017/5/1 14:13:15
- 前面分析的畸变校正方法,只适用于光学畸变关于中心视场对称的情况,也就是要H11G2SR2M求光学系统为轴对称系统,而对于目前被广泛采用的非轴对称系统(各种离轴光学系统),其光学畸变是不对称的,例...[全文]
- 亮场掩模版2017/4/29 12:52:03 2017/4/29 12:52:03
- 亮场掩模版(clearfieldmask)：-种掩模版，其上的图形由不透明区域决定。ADC12762CCV集簇设备(clustertool)：几个I：艺机台或设备共用同一加载一卸载室和晶圆传送系...[全文]
- 红外辐射背景2017/4/26 23:08:22 2017/4/26 23:08:22
- 红外光电系统尤其是天基红外光电系统的各种红外辐射背景(杂散光),根据其空间特性、S29AL016D70TFI020光谱特性和时间特性不同有不同的分类方法,如图4-2所示。按照杂散光的发散、汇聚程...[全文]
- 红外探测器的性能指标2017/4/24 21:22:09 2017/4/24 21:22:09
- 探测器的性能参数有响应率、噪声等效功率、探测率、比探测率、光谱响应特性、响应EZJS1VC392时间、响应频率、噪声等。其中最为重要的是比探测率和噪声。红外探测器的噪声...[全文]
- 光电导探测器2017/4/23 19:59:22 2017/4/23 19:59:22
- 光电导探测器:把光电导探测器看作电路中的一个元件时,其特性很像一个可变电阻器。FAN7530N探测器与负载电阻和偏压电源串联:当有辐射照射到探测器上时,光子引起探测器电导率的变化调制了流经探测器...[全文]
- 何谓辐射度学?其基本物理量有哪些?2016/10/29 21:18:19 2016/10/29 21:18:19
- 1.何谓辐射度学?其基本物理量有哪些?AAT3236IGV-2.85-T12.何谓光度学?其基本物理量有哪些?3.辐射度学与光度学的根本区别是什么?4,...[全文]
- FED的制作工艺2016/9/28 20:31:19 2016/9/28 20:31:19
- 微尖的制作过程如下:(1)制作导电基板(ITO玻璃)和1um厚的⒊02绝缘层以及栅极(Mo)的三层结构,如图4-6所示。(2)栅极光刻和反应离子刻蚀过程...[全文]
- 注意事项2016/9/23 23:03:33 2016/9/23 23:03:33
- 注意事项。①每天的第一次开机必须H57V2562GTR-60C先作一次预热(Ⅵ饴rmUp);两次使用间隔超过1h也必须作一次W衍ltlUp。②开启X-Ray后,等X-...[全文]
- 封装比的概念2016/9/10 17:14:24 2016/9/10 17:14:24
- 衡量集成电路制造技术的先进性,除了集成度(门数、最大yo数量)、电路技术、特征尺寸、MA4AGSW4电气性能(时钟频率、工作电压、功耗)外,还有集成电路的封装。由本节前面内容可以看...[全文]
- 工艺文件的编制方法2016/9/4 16:46:53 2016/9/4 16:46:53
- (1)要仔细分析设计文件的技术条件、技术说明、原理图、安装图、接线图、线扎图ICS9LP505-1HGLFT及有关的零件、部件图等。将这些图中的安装关系与焊接要求仔细弄清楚。(2)...[全文]
- 微型计算机系统的构成2016/7/25 20:25:27 2016/7/25 20:25:27
- (l)微型计算机微型计算机结构框图如图12.11所示。由图可KMS15-24知:一台微型计算机主要由微处理器CPU、存储器、输入/输出接口电路及系统总线(虚线上的部分...[全文]
- 单片机应用系统的制版2016/7/23 19:17:10 2016/7/23 19:17:10
- 将设计的硬件电路通过EDA(如Prote1等)绘制原理图,并形成PCB制板图,最后检ICL7650SCBA-1ZT验无误后将PCB图交给制版公司,加工制造电路板。单片机应用系统的调...[全文]
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