28M0
一个Microsemi的公司
580圣喜羊羊
水城， MA 02472
电话： 617-924-9280
传真： 617-924-1235
DIE规格
60V 300毫安
单片二极管阵列
产品特点：
两个八二极管核心驱动力
TRR < 20纳秒
坚固耐用AIR-隔离式结构
低反向漏电流
A
J
J
J
J
.061"
绝对最大额定值：
C
C
A
.054"
符号
参数
极限
60
300
500
-65到+150
-65到+200
单位
VDC
MADC
MADC
°C
°C
J
J
J
J
VBR （R） - * 1 * 2反向击穿电压
IO
*1
连续正向电流
IFSM
* 1峰值浪涌电流（ TP = 1/120 S）
顶部
工作结温范围
TSTG
存储温度范围
注1 ：每个二极管
注2 ：脉冲： PW = 100ms的最大值;占空比< 20 ％
电气特性（每二极管） @ 25 ° C除非另有说明
符号参数
条件
民
60
1
1.5
0.1
8.0
40
20
VDC
VDC
uAdc
pF
ns
ns
最大
单位
BV1
击穿电压
IR = 10uAdc
Vf1
正向电压
如果= 100mAdc * 1
Vf2
正向电压
如果= 500mAdc * 1
IR1
反向电流
VR = 40 VDC
Ct
电容（引脚对引脚）
VR = 0伏; F = 1 MHz的
TFR
正向恢复时间IF = 500mAdc
TRR
反向恢复时间IF = IR = 200mAdc ， IRR = 20 MADC ， RL = 100欧姆
注1 ：脉冲：后PW = 300US +/- 50微秒，占空比< 2 ％ ， 90us前沿
封装选项：
W：晶片（ 100 ％探测）U ：晶圆（样品探测）
D：芯片（华夫格包）
B：芯片（瓶）
V ：芯片（华夫格包， 100 ％目视检查） X：其他
金属化选项：
标准：铝顶
/金背面（无短跑＃ ）
处理选项：
标准：能够JANTXV应用程序（没有后缀）
后缀为C：商业
后缀S：能S-水平相当的应用
订购信息
零件编号： 28M0_ _- _
第一个后缀字母：包装选项
第二个后缀字母：处理选项
短跑＃ ：金属化选项
Sertech保留随时更改任何产品的设计，规格或其他信息，恕不另行权
通知。
MSC1025.PDF冯 - 98年12月3日
