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INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1554
描述
·带
TO-3P (H) IS包
.Built式
阻尼二极管
电压,高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
彩色电视机行输出的应用
钉扎
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (H), IS)和符号
绝对最大额定值(Ta = 25
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
3.5
1
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
参数
条件
典型值。
2SD1554
最大
单位
V
( BR ) EBO
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 0.2A ,我
C
=0
5
V
V
CESAT
V
BESAT
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 3A ;我
B
=0.8A
I
C
= 3A ,我
B
=0.8A
5.0
8.0
V
基射极饱和电压
1.5
V
μA
I
CBO
集电极截止电流
V
CB
= 500V ;我
E
=0
10
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
8
f
T
跃迁频率
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
3
兆赫
C
OB
集电极输出电容
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
95
pF
V
F
t
f
二极管的正向电压
I
F
=3.5A
0.5
2.0
V
μs
下降时间
I
CP
= 3A ,我
B1
(结束)
=0.8A
1.0
2
INCHANGE半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1554
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.15 MM)
3
2SD1554
NPN型三重扩散型
平面硅晶体管
彩电行输出
应用程序(阻尼二极管内置)
!
!
高集电极 - 基极电压(V
CBO
=1500V)
高速开关
2-16E3A
绝对最大额定值(T
A
=25
o
C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
集电极耗散(TC = 25℃
)
结温
储存温度
o
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
TSTG
等级
1500
1500
6
3.5
50
150
-50~150
单位
V
V
V
A
W
o
o
C
C
电气特性(T
A
=25
o
C)
Characterristic
集电极 - 发射极截止电流(V
BE
=0)
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
符号
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE ( SAT )
测试条件
V
CE
= 1400 V ,
R
BE
=0
V
CB
= 800 V,I
E
=0
V
EB
= 4V ,
I
C
=
0
V
CE
= 5V ,
I
C
=1A
I
C
=3A ,
I
B
=0.8A
典型值
最大
1.0
10
1.0
单位
mA
A
mA
V
8
8.0
永诚电脑配件有限公司( H.K ..)有限公司。
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SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
2SD1554
描述
·采用TO- 3P (H ) IS包
.Built式
阻尼二极管
电压,高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
·对于彩电行输出的应用
钉扎
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (H), IS)和符号
绝对最大额定值( TA = 25 )
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
3.5
1
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
W
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
特征
Tj=25
除非另有说明
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
二极管的正向电压
下降时间
条件
I
E
= 0.2A ,我
C
=0
I
C
= 3A ;我
B
=0.8A
I
C
= 3A ,我
B
=0.8A
V
CB
= 500V ;我
E
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
F
=3.5A
I
CP
= 3A ,我
B1
(结束)
=0.8A
8
3
95
5
2SD1554
符号
V
( BR ) EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
h
FE
f
T
C
OB
V
F
t
f
典型值。
最大
单位
V
5.0
8.0
1.5
10
V
V
A
兆赫
pF
2.0
V
s
0.5
1.0
2
SavantIC半导体
产品speci fi cation
硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1554
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.15 MM)
3
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
2SD1554
描述
·带
TO-3P (H) IS包
.Built式
阻尼二极管
电压,高速
ULOW
集电极饱和电压
应用
For
彩色电视机行输出的应用
钉扎
1
2
3
描述
BASE
集热器
辐射源
Fig.1简化外形(TO -3P (H), IS)和符号
在Tc = 25绝对最大额定值
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
B
P
C
T
j
T
英镑
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
C
=25℃
条件
发射极开路
开基
集电极开路
价值
1500
600
5
3.5
1
40
150
-55~150
V
A
A
W
单位
V
JMnic
产品speci fi cation
www.jmnic.com
硅NPN功率晶体管
特征
除非另有说明, TJ = 25 ℃
符号
V
EBO
V
CESAT
V
BESAT
I
CBO
h
FE
f
T
C
OB
V
F
t
f
参数
发射极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
发射极基极饱和电压
集电极截止电流
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
二极管的正向电压
下降时间
条件
I
E
= 0.2A ,我
C
=0
I
C
= 3A我
B
=0.8A
I
C
= 3A我
B
=0.8A
V
CB
= 500V我
E
=0
I
C
= 0.5A ; V
CE
=5V
I
C
= 0.1A ; V
CE
=10V
I
E
=0 ; V
CB
=10V;f=1MHz
I
F
=3.5A
I
CP
= 3A ,我
B1
(结束)
=0.8A
0.5
8
3
95
5
5.0
典型值。
2SD1554
最大
单位
V
8.0
1.5
10
V
V
μA
兆赫
pF
2.0
1.0
V
μs
JMnic
产品speci fi cation
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硅NPN功率晶体管
包装外形
2SD1554
图2外形尺寸( unindicated公差: ±0.15 MM)
JMnic
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联系人:周
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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