298D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
AN
导致无框模压
特点
0805和0603的脚印
铅（Pb ） - 免费面朝下端接
8mm带和卷轴封装可供选择
按照EIA - 481-1和符合IEC 286-3缫丝
7" [ 178毫米]标准
RoHS指令
柔顺
性能特点
工作温度：
- 55 ° C至+ 85°C
（至+ 125°C的电压降额）
电容范围：
1 μF至220 μF
电容容差：
± 20％的标准
电压范围：
2.5 WVDC至25 WVDC
订购信息
298D
模型
106
电容
X0
电容
公差
X0 = ± 20 %
X9 = ± 10 %
010
直流电压额定值
AT + 85°C
这表示以伏特为单位。
要完成三位数
块，零之前的
额定电压。十进制
点是由一个"R"表示
（ 6R3 = 6.3 V） 。
M
CASE CODE
2
终止
T
REEL尺寸和
包装
这被表示在
皮法。第一
两个数字是
显著的数字。该
第三是数
零可循。
见评级
2 = 100 ％的锡
T =卷带式
与案例
4 =镀金
7" [ 178毫米]卷轴
码表
注意：
较好的耐受性和卷轴尺寸以粗体显示。
我们保留提供更高的额定电压和更严格的电容容差的电容器在同一案件中的大小正确。
电压替代将标有更高的额定电压。
尺寸
以英寸[毫米]
阳极极性酒吧
阳极端子
阴极端子
C
W
H
P1
P2
P1
L
例
M
P
L
0.063 ± 0.004
[1.60 ± 0.1]
0.094 ± 0.004
[2.4 ± 0.1]
W
0.033 ± 0.004
[0.85 ± 0.1]
0.057 ± 0.004
[1.45 ± 0.1]
H
0.031 ± 0.004
[0.80 ± 0.1]
0.043 ± 0.004
[1.10 ± 0.1]
P1
0.020 ± 0.004
[0.50 ± 0.1]
0.020 ± 0.004
[0.50 ± 0.1]
P2
0.024 ± 0.004
[0.60 ± 0.1]
0.057 ± 0.004
[1.40 ± 0.1]
C
0.024 ± 0.004
[0.60 ± 0.1]
0.035 ± 0.004
[0.90 ± 0.1]
www.vishay.com
38
如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
文档编号： 40065
修订： 22 - OCT- 07
298D
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
AN
TM
导致无框模压
额定值和外形编码
F
2.5 V
4V
6.3 V
10 V
16 V
1.0
M
2.2
M
M
M
3.3
4.7
M
M
M
6.8
10
M
M
M
15
M
22
M
M
33
M
M
P*
47
M
M
P*
P
100
M*
P*
P*
220
P
P
注意：
*初步数值，联系工厂。
25 V
M
日前，Vishay斯普拉格
记号
M-案例
极性酒吧
电压编码
P-情况
极性酒吧
电容
电压编码
CODE
P
A
伏
4
6.3
10
16
20
25
CODE
G
J
A
C
D
E
GJ
CAP ， μF
33
47
68
100
150
220
CODE
n
s
w
A
E
J
标准级别
电容
(F)
例
CODE
部分
数
最大DC
泄漏
AT + 25°C
(A)
MAX DF
AT + 25°C
(%)
最大ESR
AT + 25°C
100千赫
(Ω)
最大纹波
100千赫
I
RMS
(A)
ΔC/C*
(%)
47
100
220
10
22
33
47
100
220
2.2
4.7
10
22
33
47
100
2.2
4.7
10
15
33
47
1.0
2.2
4.7
1.0
4.7
M
M
P
M
M
M
M
P
P
M
M
M
M
M
P
P
M
M
M
M
P
P
M
M
M
M
P
2.5 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 3.3 V. 。 。 1.6直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 2.1 V
298D476X02R5M2T
2.4
20
4.0
0.08
298D107X02R5M2T
25.0
40
2.5
0.100
298D227X02R5P2T
11.0
30
3.0
0.122
4 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 5.2 V. 。 。 2.7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 3.4 V
298D106X0004M2T
0.5
8.0
3.0
0.09
298D226X0004M2T
0.9
15
4.0
0.08
298D336X0004M2T
2.6
15
4.0
0.08
298D476X0004M2T
3.8
20
4.0
0.08
298D107X0004P2T
4.0
20
2.0
0.1
298D227X0004P2T
17.6
30
3.0
0.122
6.3 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 8 V. 。 。 4直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 5 V
298D225X06R3M2T
0.5
10
5.0
0.07
298D475X06R3M2T
0.5
8.0
3.0
0.09
298D106X06R3M2T
0.6
8.0
3.0
0.09
298D226X06R3M2T
2.8
15
4.0
0.08
298D336X06R3M2T
4.2
20
4.0
0.08
298D476X06R3P2T
3.0
22
3.0
0.122
298D107X06R3P2T
6.3
20
2.0
0.150
10 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 13 V. 。 。 7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 8 V
298D225X0010M2T
0.5
10
10
0.05
298D475X0010M2T
0.5
6.0
4.0
0.08
298D106X0010M2T
1.0
8.0
4.0
0.08
298D156X0010M2T
1.5
12
4.0
0.08
298D336X0010P2T
3.3
10
2.0
0.150
298D476X0010P2T
4.7
22
3.0
0.122
16 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 20 V 。 。 10直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 12 V
298D105X0016M2T
0.5
6.0
12.0
0.045
298D225X0016M2T
0.5
10
12.0
0.045
298D475X0016M2T
0.8
8.0
6.0
0.06
25 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 32 V. 。 。 17直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 20 V
298D105X0025M2T
0.5
6.0
10.0
0.05
298D475X0025P2T
1.2
6.0
4.0
0.106
± 30
± 30
± 30
± 10
± 15
± 20
± 30
± 30
± 30
± 10
± 10
± 10
± 15
± 30
± 20
± 20
± 10
± 15
± 15
± 20
± 10
± 20
± 15
± 15
± 15
± 10
± 10
记
*请参阅性能特性表，第41页。
文档编号： 40065
修订： 22 - OCT- 07
如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
www.vishay.com
39
298D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
AN
TM
导致无框模压
电容器性能特点
电气性能特点
项
工作温度范围
电容容差
耗散因数（ 120赫兹）
ESR （ 100千赫）
漏电流
反向电压
性能特点
- 55 ° C至+ 85°C （ + 125 ℃，电压降额）
±20％ ，±10％ （在120赫兹） 2 V
RMS
在+ 25 ℃，采用电容电桥
按标准评分表的限制。通过桥法测定，在25℃ ， 120赫兹。
按标准评分表的限制。通过桥法测定，在25℃下， 100千赫。
后应用额定电压施加到电容器5分钟，用电力的以稳定的源
1kΩ电阻串联下测试，漏电流的电容器，在25 ℃下为不超过在所述。
见下图进行适当的调整系数。
电容器能够在相反的方向等于承受峰值电压：直流10％
的直流额定为+ 85℃， 5％
日前，Vishay不建议反向电压的故意或反复应用
如果电容器是在温度高于+ 25℃使用时，允许的RMS纹波电流或电压
1.0在+ 25°C
0.9在+ 85°C
0.4在+ 125°C
最大允许功率
功耗在25℃
（W）在自由空气
工作温度
M-案例： 0.025
P-案例： 0.045
+ 85°C评级
工作电压
浪涌电压
4
5.2
6.3
8
10
13
16
20
20
26
25
32
35
46
50
65
+ 125°C评级
工作电压
浪涌电压
2.7
3.4
4
5
7
8
10
12
13
16
17
20
23
28
33
40
温度降额
典型漏电流系数范围
100
漏电流系数
10
+ 125 °C
+
85
°C
+ 55 °C
+ 25 °C
0 °C
1.0
0.1
- 55 °C
0.01
0.001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
额定电压的百分比
笔记
在+ 25 ° C，
泄漏电流不应超过标准等级表中列出的值。
在+ 85°C ，
漏电流应不超过10倍，在标准等级表中列出的值。
在+ 125°C ，
漏电流应不超过12倍，在标准等级表中列出的值
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如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
文档编号： 40065
修订： 22 - OCT- 07
298D
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
AN
TM
导致无框模压
环保性能特点
项
在+ 85°C寿命试验
条件
额定电压1000小时，在应用
85 ℃下用3
Ω
串联电阻
MIL -STD 202G法108A
在40℃ / 90％RH下500小时，不加电压
应用。 MIL -STD 202G方法103B
POST测试性能
静电容量变化
耗散因数
漏电流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
日前，Vishay斯普拉格
湿度测试
热冲击
在 - 55 ° C / + 125°C ， 30分钟。每次，
进行5次循环。 MIL -STD 202G 107G方法
力学性能特性
测试条件
端子强度
条件
适用的5为N的压力负荷为10 ± 1秒
水平地向电容器侧体的中心。
AECQ -200转。 C方法006
POST测试性能
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
基板弯曲
（挠性板）
振动
随着零件焊接到基板测试板，
用力的测试板的挠度
为1毫米。 AECQ -200转。 C方法005
MIL- STD- 202G ，方法204D ，
10赫兹到2000赫兹， 20 g峰值
静电容量变化
耗散因数
漏电流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
震
MIL-STD- 202G ， 213B的方法，我的条件，
100G峰值
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
耐焊锡
热
在260℃ ，保持10秒，再流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
可焊性
MIL- STD- 202G ， 208H方法，ANSI / J- STD- 002 ，
B.测试仅适用于焊料和镀锡
终端。并不适用于黄金终端。
MIL- STD- 202，方法215D
封装材料符合UL94 VO用
的32 ％的氧指数。
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
耐
溶剂
FL可燃性
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如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
文档编号： 40065
修订： 22 - OCT- 07
298D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
AN
TM
导致无框模压
典型曲线在+ 25 ° C，阻抗和ESR VS.频率
“M”案
100
阻抗
ESR
10
ESR / Z ，
Ω
10
ESR / Z ， Ω
100
阻抗
ESR
“M”案
1
47 F - 4 V
22 μF - 4 V
1
0.1
0.1
0.1
1
10
频率千赫
100
1000
1
10
频率千赫
100
1000
1000
“M”案
阻抗
ESR
“M”案
1000
阻抗
ESR
100
100
ESR / Z ，
Ω
ESR / Z ，
Ω
10
4.7 μF - 10 V
1
10 μF - 6 V
1
0.1
0.1
0.1
10
1
10
频率千赫
100
1000
1
10
频率千赫
100
1000
“M”案
1000
阻抗
ESR
100
ESR / Z ，
Ω
“M”案
10 000
阻抗
ESR
1000
ESR / Z ，
Ω
100
1 μF - 16 V
10
10 F - 10 V
10
1
0.1
1
10
频率千赫
100
1000
1
0.1
1
10
频率千赫
100
1000
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42
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文档编号： 40065
修订： 22 - OCT- 07
298D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
的？
Leadframeless模压
特点
0805 ， 0603和0402的足迹
铅（Pb ） - 免费的L形端子
8mm带和卷轴包装每可用
EIA- 481-1 ，并符合IEC 286-3缫丝
7" [ 178毫米]标准
性能特点
工作温度：
- 55 ° C至+ 85°C
（至+ 125°C的电压降额）
电容范围：
0.68 μF至220 μF
电容容差：
± 20％的标准
电压范围：
2.5 WVDC至50 WVDC
订购信息
298D
模型
106
电容
X0
电容
公差
X0 = ± 20 %
X9 = ± 10 %
010
直流电压额定值
AT + 85°C
这表示以伏特为单位。
要完成三位数
块，零之前的
额定电压。十进制
点是通过一个“R ”表示的
（ 6R3 = 6.3 V） 。
M
CASE CODE
2
终止
T
REEL尺寸和
包装
这被表示在
皮法。第一
两个数字是
显著的数字。该
第三是数
零可循。
见评级
2 = 100 ％的锡
T =卷带式
与案例
4 =镀金
7" [ 178毫米]卷轴
码表
注意：
较好的耐受性和卷轴尺寸以粗体显示。
我们保留提供更高的额定电压和更严格的电容容差的电容器在同一案件中的大小正确。
电压替代将标有更高的额定电压。
尺寸
以英寸[毫米]
阳极极性酒吧
阳极端子
阴极端子
C
W
H
P1
P2
P1
L
例
K
M
P
L
0.039 + 0.008
[1.0 + 0.2]
0.063 ± 0.004
[1.60 ± 0.1]
0.094 ± 0.004
[2.4 ± 0.1]
W
0.02 + 0.008
[0.5 + 0.2]
0.033 ± 0.004
[0.85 ± 0.1]
0.057 ± 0.004
[1.45 ± 0.1]
H
0.024最大。
0.6 MAX 。
0.031 ± 0.004
[0.80 ± 0.1]
0.043 ± 0.004
[1.10 ± 0.1]
P1
0.01 ± 0.004
[0.25 ± 0.1]
0.020 ± 0.004
[0.50 ± 0.1]
0.020 ± 0.004
[0.50 ± 0.1]
P2 （REF ）。
0.02
[0.5]
0.024
[0.60]
0.057
[1.40]
C
0.015 ± 0.004
[0.38 ± 0.1]
0.024 ± 0.004
[0.60 ± 0.1]
0.035 ± 0.004
[0.90 ± 0.1]
*请参阅文件“日前，Vishay绿色无卤定义（ 5-2008 ） ” http://www.vishay.com/doc?99902
www.vishay.com
38
如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
文档编号： 40065
修订： 01 09月08
298D
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
的？
Leadframeless模压
额定值和外形编码
F
2.5 V
4V
6.3 V
0.68
1.0
K
2.2
/ M
3.3
4.7
K
K * / M
6.8
10
/ M
K * / M
15
K*
22
M
M
33
M
M
47
M
M
P*
100
P*
P
220
P
P
注意：
*初步数值，联系工厂。
10 V
K
/ M
M
M
M
M*
P*
P
16 V
/ M
M
M
25 V
M
35 V
M*
50 V
P*
日前，Vishay斯普拉格
P
记号
M-案例
极性酒吧
电压
CODE
A
K-情况
M-案例
V
CODE
4
G
6.3
J
10
A
16
C
20
D
25
E
35
V
50
T
P-情况
CAP ， μF
CODE
0.68
w
1
A
2.2
J
3.3
N
4.7
S
6.8
W
10
a
15
e
22
l
33
n
47
s
68
w
100
A
150
E
220
J
P-情况
极性酒吧
电容
电压
CODE
CODE
GJ
标准级别
电容
(F)
例
CODE
马克斯。 ESR
马克斯。纹波
MAX 。 DC
马克斯。 DF
AT + 25°C
100千赫
泄漏
AT + 25°C
100千赫
I
RMS
AT + 25°C
(%)
(Ω)
(A)
(A)
2.5 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 3.3 V. 。 。 1.6直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 2.1 V
298D476X02R5M2T
2.4
20
4.0
0.08
298D227X02R5P2T
11.0
30
3.0
0.122
4 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 5.2 V. 。 。 2.7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 3.4 V
298D475X0004K2T
0.5
15
20
0.027
298D106X0004K2T
4.0
50
20
0.027
298D106X0004M2T
0.5
8.0
5.0
0.071
(2)
298D156X0004K2T
10
50
20
0.027
298D226X0004M2T
0.9
15
4.0
0.08
298D336X0004M2T
2.6
15
4.0
0.08
298D476X0004M2T
3.8
20
4.0
0.08
298D107X0004P2T
4.0
20
2.0
0.1
298D227X0004P2T
17.6
30
3.0
0.122
6.3 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 8 V. 。 。 4直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 5 V
298D105X06R3K2T
0.5
6.0
20
0.027
298D225X06R3K2T
0.5
8.0
20
0.027
298D225X06R3M2T
0.5
10
5.0
0.07
298D475X06R3K2T
(2)
4.0
50
20
0.027
298D475X06R3M2T
0.5
8.0
3.0
0.09
298D106X06R3K2T
(2)
10
50
20
0.027
298D106X06R3M2T
0.6
8.0
5.0
0.071
298D156X06R3M2T
1.0
20
7.0
0.06
部分
数
如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
ΔC/C
(1)
(%)
47
220
4.7
10
10
15
22
33
47
100
220
1.0
2.2
2.2
4.7
4.7
10
10
15
M
P
K
K
M
K
M
M
M
P
P
K
K
M
K
M
K
M
M
± 30
± 30
± 30
± 30
± 10
± 30
± 15
± 20
± 30
± 30
± 30
± 30
± 30
± 10
± 30
± 10
± 30
± 10
± 20
www.vishay.com
39
文档编号： 40065
修订： 01 09月08
298D
日前，Vishay斯普拉格
标准级别
电容
(F)
例
CODE
马克斯。 ESR
马克斯。纹波
MAX 。 DC
马克斯。 DF
AT + 25°C
100千赫
泄漏
AT + 25°C
100千赫
I
RMS
AT + 25°C
(%)
(Ω)
(A)
(A)
6.3 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 8 V. 。 。 4直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 5 V
298D226X06R3M2T
2.8
20
5.5
0.067
298D336X06R3M2T
4.2
30
7.5
0.058
298D476X06R3P2T
3.0
22
3.0
0.122
298D107X06R3P2T
6.3
30
2.0
0.150
10 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 13 V. 。 。 7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 8 V
298D105X0010K2T
0.5
6.0
20
0.027
298D225X0010K2T
0.5
8.0
15
0.027
298D225X0010M2T
0.5
10
10
0.05
298D475X0010M2T
0.5
6.0
5.0
0.071
298D106X0010M2T
1.0
20
7.5
0.058
298D156X0010M2T
1.5
20
7.5
0.058
298D226X0010M2T
22
30
8.0
0.06
298D336X0010P2T
3.3
10
2.0
0.150
298D476X0010P2T
4.7
22
3.0
0.122
16 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 20 V 。 。 10直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 12 V
298D105X0016K2T
3.0
10
20
0.027
298D105X0016M2T
0.5
6.0
12.0
0.045
298D225X0016M2T
0.5
10
12.0
0.045
298D475X0016M2T
0.8
8.0
6.0
0.06
25 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 32 V. 。 。 17直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 20 V
298D105X0025M2T
0.5
6.0
10.0
0.05
298D475X0025P2T
1.2
6.0
4.0
0.106
部分
数
(2)
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
的？
Leadframeless模压
ΔC/C
(1)
(%)
22
33
47
100
1.0
2.2
2.2
4.7
10
15
22
33
47
1.0
1.0
2.2
4.7
1.0
4.7
M
M
P
P
K
K
M
M
M
M
M
P
P
K
M
M
M
M
P
± 15
± 30
± 20
± 20
± 30
± 30
± 10
± 15
± 15
± 20
± 30
± 10
± 20
± 30
± 15
± 15
± 15
± 10
± 10
注意事项：
(1)
请参阅性能特性表，第41页
在发展
电容器性能特点
电气性能特点
性能特点
- 55 ° C至+ 85°C （ + 125 ℃，电压降额）
±20％ ，±10％ （在120赫兹） 2 V
RMS
在+ 25 ℃，采用电容电桥
按标准评分表的限制。通过桥法测定，在25℃ ， 120赫兹。
按标准评分表的限制。通过桥法测定，在25℃下， 100千赫。
后应用额定电压施加到电容器5分钟，使用电力的稳定来源
用1kΩ的电阻器串联在测试中，漏电流的电容器，在25 ℃下为不大于
漏电流
英寸标准评分表所述。需要注意的是，漏电流随温度变化而
施加的电压。见下图进行适当的调整系数。
电容器能够在相反的方向等于承受峰值电压：直流10％
评级为+ 25°C
反向电压
的直流额定为+ 85℃， 5％
日前，Vishay不建议反向电压的故意或反复应用
如果电容器是在温度高于+ 25℃使用时，允许的RMS纹波电流或
电压应采用降容系数来计算：
温度降额
1.0在+ 25°C
0.9在+ 85°C
0.4在+ 125°C
K-案例： 0.015
最大允许功率
M-案例： 0.025
耗散在25℃ （宽）的自由空气
P-案例： 0.045
+ 85
°C
等级
+ 125
°C
等级
工作电压（V ）浪涌电压（V ）工作电压（ V）浪涌电压（V ）
4
5.2
2.7
3.4
6.3
8
4
5
10
13
7
8
工作温度
16
20
10
12
20
26
13
16
25
32
17
20
35
46
23
28
50
65
33
40
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40
如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
文档编号： 40065
修订： 01 09月08
项
工作温度范围
电容容差
耗散因数（ 120赫兹）
ESR （ 100千赫）
298D
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
的？
Leadframeless模压
典型漏电流系数范围
100
日前，Vishay斯普拉格
漏电流系数
+ 125 °C
10
+
85
°C
+ 55 °C
1.0
+ 25 °C
0 °C
0.1
- 55 °C
0.01
0.001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
额定电压的百分比
笔记
在+ 25
℃，泄漏电流不应超过标准额定值表中列出的值
在+ 85
° C时，漏电流应不超过10倍，在标准额定值表中列出的值
在+ 125
℃，泄漏电流不应超过12倍，在标准额定值表中列出的值
环保性能特点
项
在+ 85°C寿命试验
条件
额定电压1000小时，在应用
85 ℃下用3
Ω
串联电阻
MIL -STD 202G法108A
在40℃ / 90％RH下500小时，不加电压
应用。 MIL -STD 202G方法103B
在 - 55 ° C / + 125°C ，每次30分钟，
进行5次循环。 MIL -STD 202G 107G方法
POST测试性能
静电容量变化
耗散因数
漏电流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
湿度测试
热冲击
力学性能特性
测试条件
条件
POST测试性能
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
端子强度
适用的5为N的压力负荷为10 ± 1秒
水平地向电容器侧体的中心。
AECQ -200转。 C方法006
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
静电容量变化
耗散因数
漏电流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
基板弯曲
（挠性板）
随着零件焊接到基板测试板，
用力的测试板的挠度
为1毫米。 AECQ -200转。 C方法005
振动
MIL- STD- 202G ，方法204D ，
10赫兹到2000赫兹， 20G峰值
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
震
MIL-STD- 202G ， 213B的方法，我的条件，
100G峰值
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
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如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
文档编号： 40065
修订： 01 09月08
298D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
的？
Leadframeless模压
力学性能特性
耐焊锡
热
在260℃ ， 10秒，再流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
可焊性
MIL- STD- 202G ， 208H方法，ANSI / J- STD- 002 ，
B.测试仅适用于焊料和镀锡
终端。并不适用于黄金终端。
MIL- STD- 202，方法215D
封装材料符合UL94 VO用
的32 ％的氧指数。
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
耐
溶剂
FL可燃性
典型曲线在+ 25 ° C，阻抗和ESR VS.频率
“M”案
100
阻抗
ESR
10
ESR / Z ，
Ω
10
ESR / Z ， Ω
100
阻抗
ESR
“M”案
1
47 F - 4 V
22 μF - 4 V
1
0.1
0.1
0.1
1
10
频率千赫
100
1000
1
10
频率千赫
100
1000
1000
“M”案
阻抗
ESR
“M”案
1000
阻抗
ESR
100
100
ESR / Z ，
Ω
ESR / Z ，
Ω
10
4.7 μF - 10 V
1
10 μF - 6 V
1
0.1
0.1
0.1
10
1
10
频率千赫
100
1000
1
10
频率千赫
100
1000
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文档编号： 40065
修订： 01 09月08
298D
日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
AN
导致无框模压
特点
0805和0603的脚印
铅（Pb ） - 免费面朝下端接
8mm带和卷轴封装可供选择
按照EIA - 481-1和符合IEC 286-3缫丝
7" [ 178毫米]标准
RoHS指令
柔顺
性能特点
工作温度：
- 55 ° C至+ 85°C
（至+ 125°C的电压降额）
电容范围：
1 μF至220 μF
电容容差：
± 20％的标准
电压范围：
2.5 WVDC至25 WVDC
订购信息
298D
模型
106
电容
X0
电容
公差
X0 = ± 20 %
X9 = ± 10 %
010
直流电压额定值
AT + 85°C
这表示以伏特为单位。
要完成三位数
块，零之前的
额定电压。十进制
点是由一个"R"表示
（ 6R3 = 6.3 V） 。
M
CASE CODE
2
终止
T
REEL尺寸和
包装
这被表示在
皮法。第一
两个数字是
显著的数字。该
第三是数
零可循。
见评级
2 = 100 ％的锡
T =卷带式
与案例
4 =镀金
7" [ 178毫米]卷轴
码表
注意：
较好的耐受性和卷轴尺寸以粗体显示。
我们保留提供更高的额定电压和更严格的电容容差的电容器在同一案件中的大小正确。
电压替代将标有更高的额定电压。
尺寸
以英寸[毫米]
阳极极性酒吧
阳极端子
阴极端子
C
W
H
P1
P2
P1
L
例
M
P
L
0.063 ± 0.004
[1.60 ± 0.1]
0.094 ± 0.004
[2.4 ± 0.1]
W
0.033 ± 0.004
[0.85 ± 0.1]
0.057 ± 0.004
[1.45 ± 0.1]
H
0.031 ± 0.004
[0.80 ± 0.1]
0.043 ± 0.004
[1.10 ± 0.1]
P1
0.020 ± 0.004
[0.50 ± 0.1]
0.020 ± 0.004
[0.50 ± 0.1]
P2
0.024 ± 0.004
[0.60 ± 0.1]
0.057 ± 0.004
[1.40 ± 0.1]
C
0.024 ± 0.004
[0.60 ± 0.1]
0.035 ± 0.004
[0.90 ± 0.1]
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文档编号： 40065
修订： 22 - OCT- 07
298D
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
AN
TM
导致无框模压
额定值和外形编码
F
2.5 V
4V
6.3 V
10 V
16 V
1.0
M
2.2
M
M
M
3.3
4.7
M
M
M
6.8
10
M
M
M
15
M
22
M
M
33
M
M
P*
47
M
M
P*
P
100
M*
P*
P*
220
P
P
注意：
*初步数值，联系工厂。
25 V
M
日前，Vishay斯普拉格
记号
M-案例
极性酒吧
电压编码
P-情况
极性酒吧
电容
电压编码
CODE
P
A
伏
4
6.3
10
16
20
25
CODE
G
J
A
C
D
E
GJ
CAP ， μF
33
47
68
100
150
220
CODE
n
s
w
A
E
J
标准级别
电容
(F)
例
CODE
部分
数
最大DC
泄漏
AT + 25°C
(A)
MAX DF
AT + 25°C
(%)
最大ESR
AT + 25°C
100千赫
(Ω)
最大纹波
100千赫
I
RMS
(A)
ΔC/C*
(%)
47
100
220
10
22
33
47
100
220
2.2
4.7
10
22
33
47
100
2.2
4.7
10
15
33
47
1.0
2.2
4.7
1.0
4.7
M
M
P
M
M
M
M
P
P
M
M
M
M
M
P
P
M
M
M
M
P
P
M
M
M
M
P
2.5 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 3.3 V. 。 。 1.6直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 2.1 V
298D476X02R5M2T
2.4
20
4.0
0.08
298D107X02R5M2T
25.0
40
2.5
0.100
298D227X02R5P2T
11.0
30
3.0
0.122
4 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 5.2 V. 。 。 2.7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 3.4 V
298D106X0004M2T
0.5
8.0
3.0
0.09
298D226X0004M2T
0.9
15
4.0
0.08
298D336X0004M2T
2.6
15
4.0
0.08
298D476X0004M2T
3.8
20
4.0
0.08
298D107X0004P2T
4.0
20
2.0
0.1
298D227X0004P2T
17.6
30
3.0
0.122
6.3 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 8 V. 。 。 4直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 5 V
298D225X06R3M2T
0.5
10
5.0
0.07
298D475X06R3M2T
0.5
8.0
3.0
0.09
298D106X06R3M2T
0.6
8.0
3.0
0.09
298D226X06R3M2T
2.8
15
4.0
0.08
298D336X06R3M2T
4.2
20
4.0
0.08
298D476X06R3P2T
3.0
22
3.0
0.122
298D107X06R3P2T
6.3
20
2.0
0.150
10 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 13 V. 。 。 7直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 8 V
298D225X0010M2T
0.5
10
10
0.05
298D475X0010M2T
0.5
6.0
4.0
0.08
298D106X0010M2T
1.0
8.0
4.0
0.08
298D156X0010M2T
1.5
12
4.0
0.08
298D336X0010P2T
3.3
10
2.0
0.150
298D476X0010P2T
4.7
22
3.0
0.122
16 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 20 V 。 。 10直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 12 V
298D105X0016M2T
0.5
6.0
12.0
0.045
298D225X0016M2T
0.5
10
12.0
0.045
298D475X0016M2T
0.8
8.0
6.0
0.06
25 WVDC AT + 85°C ， SURGE = 32 V. 。 。 17直流工作电压在+ 125 ° C， SURGE = 20 V
298D105X0025M2T
0.5
6.0
10.0
0.05
298D475X0025P2T
1.2
6.0
4.0
0.106
± 30
± 30
± 30
± 10
± 15
± 20
± 30
± 30
± 30
± 10
± 10
± 10
± 15
± 30
± 20
± 20
± 10
± 15
± 15
± 20
± 10
± 20
± 15
± 15
± 15
± 10
± 10
记
*请参阅性能特性表，第41页。
文档编号： 40065
修订： 22 - OCT- 07
如有技术问题，请联系： tantalum@vishay.com
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日前，Vishay斯普拉格
固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
AN
TM
导致无框模压
电容器性能特点
电气性能特点
项
工作温度范围
电容容差
耗散因数（ 120赫兹）
ESR （ 100千赫）
漏电流
反向电压
性能特点
- 55 ° C至+ 85°C （ + 125 ℃，电压降额）
±20％ ，±10％ （在120赫兹） 2 V
RMS
在+ 25 ℃，采用电容电桥
按标准评分表的限制。通过桥法测定，在25℃ ， 120赫兹。
按标准评分表的限制。通过桥法测定，在25℃下， 100千赫。
后应用额定电压施加到电容器5分钟，用电力的以稳定的源
1kΩ电阻串联下测试，漏电流的电容器，在25 ℃下为不超过在所述。
见下图进行适当的调整系数。
电容器能够在相反的方向等于承受峰值电压：直流10％
的直流额定为+ 85℃， 5％
日前，Vishay不建议反向电压的故意或反复应用
如果电容器是在温度高于+ 25℃使用时，允许的RMS纹波电流或电压
1.0在+ 25°C
0.9在+ 85°C
0.4在+ 125°C
最大允许功率
功耗在25℃
（W）在自由空气
工作温度
M-案例： 0.025
P-案例： 0.045
+ 85°C评级
工作电压
浪涌电压
4
5.2
6.3
8
10
13
16
20
20
26
25
32
35
46
50
65
+ 125°C评级
工作电压
浪涌电压
2.7
3.4
4
5
7
8
10
12
13
16
17
20
23
28
33
40
温度降额
典型漏电流系数范围
100
漏电流系数
10
+ 125 °C
+
85
°C
+ 55 °C
+ 25 °C
0 °C
1.0
0.1
- 55 °C
0.01
0.001
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
额定电压的百分比
笔记
在+ 25 ° C，
泄漏电流不应超过标准等级表中列出的值。
在+ 85°C ，
漏电流应不超过10倍，在标准等级表中列出的值。
在+ 125°C ，
漏电流应不超过12倍，在标准等级表中列出的值
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固体钽芯片电容器
M
ICRO
T
AN
TM
导致无框模压
环保性能特点
项
在+ 85°C寿命试验
条件
额定电压1000小时，在应用
85 ℃下用3
Ω
串联电阻
MIL -STD 202G法108A
在40℃ / 90％RH下500小时，不加电压
应用。 MIL -STD 202G方法103B
POST测试性能
静电容量变化
耗散因数
漏电流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
日前，Vishay斯普拉格
湿度测试
热冲击
在 - 55 ° C / + 125°C ， 30分钟。每次，
进行5次循环。 MIL -STD 202G 107G方法
力学性能特性
测试条件
端子强度
条件
适用的5为N的压力负荷为10 ± 1秒
水平地向电容器侧体的中心。
AECQ -200转。 C方法006
POST测试性能
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
基板弯曲
（挠性板）
振动
随着零件焊接到基板测试板，
用力的测试板的挠度
为1毫米。 AECQ -200转。 C方法005
MIL- STD- 202G ，方法204D ，
10赫兹到2000赫兹， 20 g峰值
静电容量变化
耗散因数
漏电流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
震
MIL-STD- 202G ， 213B的方法，我的条件，
100G峰值
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
初始指定值或更小
初始指定值或更小
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
耐焊锡
热
在260℃ ，保持10秒，再流
静电容量变化
耗散因数
漏电流
参考标准评分表
不超过初始150 ％
不超过初始200 ％
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
可焊性
MIL- STD- 202G ， 208H方法，ANSI / J- STD- 002 ，
B.测试仅适用于焊料和镀锡
终端。并不适用于黄金终端。
MIL- STD- 202，方法215D
封装材料符合UL94 VO用
的32 ％的氧指数。
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
不得有机械或视觉受损电容器
后调理。
耐
溶剂
FL可燃性
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T
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导致无框模压
典型曲线在+ 25 ° C，阻抗和ESR VS.频率
“M”案
100
阻抗
ESR
10
ESR / Z ，
Ω
10
ESR / Z ， Ω
100
阻抗
ESR
“M”案
1
47 F - 4 V
22 μF - 4 V
1
0.1
0.1
0.1
1
10
频率千赫
100
1000
1
10
频率千赫
100
1000
1000
“M”案
阻抗
ESR
“M”案
1000
阻抗
ESR
100
100
ESR / Z ，
Ω
ESR / Z ，
Ω
10
4.7 μF - 10 V
1
10 μF - 6 V
1
0.1
0.1
0.1
10
1
10
频率千赫
100
1000
1
10
频率千赫
100
1000
“M”案
1000
阻抗
ESR
100
ESR / Z ，
Ω
“M”案
10 000
阻抗
ESR
1000
ESR / Z ，
Ω
100
1 μF - 16 V
10
10 F - 10 V
10
1
0.1
1
10
频率千赫
100
1000
1
0.1
1
10
频率千赫
100
1000
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