2SJ314-01L,S
P-沟道硅功率MOSFET
特点
高速开关
低导通电阻
无二次击穿
低驱动功率
高正向跨导
雪崩型
FUJI功率MOSFET
FAP -III系列
K-包（ S）
外形图
K-包（ L）
应用
开关稳压器
DC- DC转换器
通用功率放大器
L型
EIAJ
最大额定值和特性
绝对最大额定值（TC = 25 ° C除非另有说明）
项
漏源电压
漏，栅极电压（R
GS
=20k
Ω
)
连续漏电流
漏电流脉冲
栅源电压
马克斯。功耗
工作和存储
温度范围
符号
V
DS
V
DGR
I
D
I
D（ PULS ]
V
GS
P
D
T
ch
T
英镑
等级
-60
-60
-5
-20
±20
20
+150
-55到+150
单位
V
A
A
A
V
W
°C
°C
等效电路示意
漏极（D ）
栅极（G ）
源极（S ）
电气特性（T
c
= 25 ° C除非另有规定编）
项
漏源击穿电压
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通时间t
on
(t
on
=t
D（上）
+t
r
)
关断时间t
关闭
(t
关闭
=t
D（关闭）
+t
f
)
雪崩能力
连续反向漏电流
脉冲反向漏电流
二极管正向导通电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
I
AV
I
DR
I
DRM
V
SD
t
rr
Q
rr
测试条件
I
D
=1mA
V
GS
=0V
I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
V
DS
= -60V
V
GS
=0V
V
GS
=±20V V
DS
=0V
I
D
= -2.5A
I
D
= 2.5A V
DS
= -25V
V
DS
= -25V
V
GS
=0V
f=1MHz
V
CC
= -30V
G
=25
Ω
I
D
= -3A
V
GS
= -10V
L=100
μ
H
T
c
=25°C
T
c
=25°C
T
ch
=25°C
分钟。
-60
-1.0
T
ch
=25°C
T
ch
=125°C
V
GS
= -4V
V
GS
= -10V
2.0
典型值。
-1.5
-10
-0.2
10
280
200
4.5
500
200
120
15
20
100
80
马克斯。
-2.5
-500
-1.0
100
480
300
750
300
180
23
30
150
120
-5
-20
单位
V
V
μA
mA
nA
mΩ
mΩ
S
pF
ns
-5
I
F
=2xI
DR
V
GS
= 0V牛逼
ch
=25°C
I
F
=I
DR
V
GS
=0V
-di / DT = 100A / μs的牛逼
ch
=25°C
-4.0
80
0.18
A
A
A
V
ns
μC
热特性
项
热阻
符号
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
分钟。
典型值。
马克斯。
6.25
125.0
单位
° C / W
° C / W
1
