2N5154
硅PNP晶体管
D上TA秒H E E吨
描述
Semicoa半导体提供：
筛选和处理符合MIL -PRF- 19500
附录E
JAN级（ 2N5154J ）
JANTX级别（ 2N5154JX ）
JANTXV级（ 2N5154JV ）
JANS级（ 2N5154JS ）
QCI适用的级别
每MIL -STD- 750方法100 ％模目视检查
2072年的JANTXV和JANS
辐射测试（总剂量）要求
应用
高速电源开关
低功耗
PNP硅晶体管
特点
密封TO- 39金属罐
在芯片配置也可
芯片几何尺寸9201
参考文献：
MIL-PRF-19500/544
好处
请联系Semicoa的特殊配置
www.SEMICOA.com或（ 714 ） 979-1900
资质等级： JAN ， JANTX ，
JANTXV和JANS
辐射测试可用
T
C
= 25 ° C除非另有说明
绝对最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流，连续
功耗，T
A
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
功耗，T
C
= 25
O
C
线性降额超过25
O
C
热阻
工作结温
储存温度
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
P
T
R
θJA
R
θJC
T
J
T
英镑
等级
80
100
5.5
2
1
5.7
11.8
66.7
175
15
-65到+ 200
单位
伏
伏
伏
A
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
° C / W
°C
版权所有2004
修订版D- 2
Semicoa
麦考密克333大道，加州Costa Mesa 92626 714.979.1900 ，传真714.557.4541
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2N5154
硅PNP晶体管
D上TA秒H E E吨
电气特性
在T规定的特性
A
= 25°C
开关特性
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射基截止电流
符号
V
（ BR ） CEO
I
首席执行官
I
CEX
I
CES1
I
CES2
I
EBO1
I
EBO2
测试条件
I
C
= 100毫安
V
CE
= 40伏
V
CE
= 60伏特，V
EB
= 2伏特，
T
A
= 150°C
V
CE
= 60伏
V
CE
= 100伏
V
EB
= 4伏
V
EB
= 5.5伏
民
80
50
100
1
1
1
1
典型值
最大
单位
伏
A
A
A
mA
A
mA
基本特征
参数
符号
h
FE1
h
FE2
h
FE3
h
FE4
V
BE
V
BEsat1
V
BEsat2
V
CEsat1
V
CEsat2
测试条件
I
C
= 50 mA时， V
CE
= 5伏
I
C
= 2.5 A，V
CE
= 5伏
I
C
= 5 A，V
CE
= 5伏
I
C
= 2.5 A，V
CE
= 5伏
T
A
= -55°C
V
CE
= 5伏，我
C
= 2.5 A
I
C
= 2.5 A，I
B
= 250毫安
I
C
= 5 A，I
B
= 500毫安
I
C
= 2.5 A，I
B
= 250毫安
I
C
= 5 A，I
B
= 500毫安
脉冲测试：脉冲宽度= 300
s,
占空比
≤
2.0%
直流电流增益
民
50
70
40
25
典型值
最大
200
单位
基射极电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极饱和电压
1.45
1.45
2.20
0.75
1.50
伏
伏
伏
动态特性
参数
震级 - 共发射极，短
电路正向电流传输比
小信号短路正向
电流传输比
开路输出电容
符号
|h
FE
|
h
FE
C
敖包
测试条件
V
CE
= 5伏，我
C
= 500毫安，
F = 10MHz的
V
CE
= 5伏，我
C
= 100毫安，
F = 1千赫
V
CB
= 10伏，我
E
= 0 mA时，
F = 1 MHz的
民
7
50
250
pF
典型值
最大
单位
开关特性
贮存时间
下降时间
饱和导通时间
饱和的关断时间
t
s
t
f
t
ON
t
关闭
I
C
= 5 A，I
B1
=I
B2
= 500毫安，
V
BEoff
= 3.7伏特，R
L
= 6
1.4
0.5
0.5
1.5
s
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