本产品符合RoHS指令(欧盟第2002/95 / EC ) 。
晶体管
2SB0709A
(2SB709A)
PNP硅外延平面型
对于一般的放大
补充2SD0601A ( 2SD601A )
■
特点
0.40
+0.10
–0.05
3
单位:mm
0.16
+0.10
–0.06
M
迪泉
TE SC
在NA
锡NC
UE E /
d
1.50
+0.25
–0.05
■
绝对最大额定值
T
a
=
25°C
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
P
C
T
j
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极电流
峰值集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
T
英镑
■
电气特性
T
a
=
25°C
±
3°C
参数
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CBO
I
首席执行官
h
FE
f
T
ue
集电极 - 基极电压(发射极开路)
集电极 - 发射极电压(基本开)
发射极 - 基极电压(集电极开路)
集电极 - 基极截止电流(发射极开路)
te
na
nc
e/
集电极 - 发射极截止电流(基地开)
正向电流传输比
*
集电极 - 发射极饱和电压
跃迁频率
V
CE ( SAT )
C
ob
注) 1.测量方法是基于日本工业标准JIS C 7030测量方法晶体管。
2. * :等级分类
秩
h
FE
标记符号
Q
160至260
BQ
R
210 340
BR
S
290 460
BS
无秩
160 460
B
M
集电极输出电容
(共同的基础,输入开路)
无等级的产品归类,并有军衔没有任何标记符号。
出版日期: 2003年3月
Pl
解放军d在
ea
NE CLU
se
解放军米德
HT VISI
NE艾马s FO
TP五六
: // OL D D D NTE INTE llow
WW罗是Na
i
瓦特赢得CON CON NCE ANC吴F
SE克吴丁锡T E OU
M R UE的UE YP (典型值) ; R P
ICO l D同时D E
e
ro
AB TY TY
n.
du
PA OU PE PE
ct
d
呐T L
生活
这样吃
cy
ST网卡
CLE
.CO INF
STA
.JP ORM
ge
/ E
N /蒂奥
.
n.
1
2
(0.95) (0.95)
1.9
±0.1
2.90
+0.20
–0.05
10
等级
45
45
7
单位
V
V
1.1
+0.2
–0.1
(0.65)
高正向电流传输比H
FE
迷你型封装,设备,允许小型化,
通过带包装盒自动插入
包装。
2.8
+0.2
–0.3
1.1
+0.3
–0.1
V
100
200
200
150
mA
mA
°C
1 :基本
2 :发射器
3 :收藏家
EIAJ : SC- 59
Mini3 -G1封装
mW
°C
标记符号: B
55
to
+150
条件
民
45
7
45
典型值
0-0.1
最大
单位
V
I
C
= 10 A,
I
E
=
0
I
C
= 2
妈,我
B
=
0
I
E
= 10 A,
I
C
=
0
sc
on
TIN
V
V
V
CB
= 20
V,I
E
=
0
V
CE
= 10
V,I
B
=
0
0.1
100
460
A
V
Di
A
V
CE
= 10
V,I
C
= 2
mA
160
I
C
= 100
妈,我
B
= 10
mA
0.3
80
2.7
0.5
艾因
V
CB
= 10
V,I
E
=
1毫安,女
=
200兆赫
V
CB
= 10
V,I
E
=
0, f
=
1兆赫
兆赫
pF
注)括号中的部分数字表示以往的零件号。
SJD00047BED
0.4
±0.2
5
1
本产品符合RoHS指令(欧盟第2002/95 / EC ) 。
2SB0709A
P
C
T
a
240
120
I
C
V
CE
T
a
=
25°C
I
C
I
B
60
V
CE
= 5
V
T
a
=
25°C
集电极耗散功率P
C
( mW)的
200
100
50
集电极电流I
C
(MA )
160
80
I
B
= 300 A
60
250 A
200 A
150 A
100 A
50 A
集电极电流I
C
(MA )
40
40
0
0
40
80
120
160
环境温度T
a
(
°C
)
I
B
V
BE
350
300
250
200
150
100
50
0
V
CE
= 5
V
T
a
=
25°C
V
CE
= 5
V
200
25°C
集电极电流I
C
(MA )
T
a
=
75°C
25°C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE ( SAT )
(V)
400
0
0.4
0.8
1.2
1.6
h
FE
I
C
sc
on
TIN
ue
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极输出电容
C( pF)的
(共同的基础,输入开路)
ob
600
te
na
nc
e/
V
CE
= 10
V
正向电流传输比H
FE
过渡频率f
T
(兆赫)
500
400
艾因
T
a
=
75°C
300
25°C
25°C
200
100
0
1
10
100
1
000
集电极电流I
C
(MA )
2
Pl
解放军d在
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NE CLU
se
解放军米德
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SE克吴丁锡T E OU
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这样吃
cy
ST网卡
CLE
.CO INF
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ge
/ E
N /蒂奥
.
n.
0
0
2
4
6
8
10
12
M
迪泉
TE SC
在NA
锡NC
UE E /
d
120
30
80
40
20
20
10
0
0
100
200
300
400
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
基极电流I
B
(
A
)
I
C
V
BE
V
CE ( SAT )
I
C
240
10
I
C
/ I
B
=
10
1
基极电流I
B
(
A
)
160
T
a
=
75°C
25°C
25°C
120
0.1
80
0.01
40
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.001
1
10
100
1
000
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
集电极电流I
C
(MA )
f
T
I
E
C
ob
V
CB
Di
160
140
120
100
80
60
40
20
V
CB
= 10
V
T
a
=
25°C
8
7
6
5
4
3
2
1
I
E
=
0
f
=
1兆赫
T
a
=
25°C
M
0
0.1
1
10
100
0
1
10
100
发射极电流I
E
(MA )
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
SJC00047BED
本产品符合RoHS指令(欧盟第2002/95 / EC ) 。
2SB0709A
NF
I
E
6
20
NF
I
E
V
CB
= 5
V
f
=
1千赫
R
g
=
2 k
T
a
=
25°C
V
CB
= 5
V
R
=
50 k
18
g
T
a
=
25°C
16
-h参数
I
E
V
CE
= 5
V
f
=
270赫兹
T
a
=
25°C
5
h
fe
100
噪声系数NF ( dB)的
噪声系数NF ( dB)的
4
14
12
10
8
6
4
2
-h参数
f
=
100赫兹
1千赫
h
oe
(S)
M
迪泉
TE SC
在NA
锡NC
UE E /
d
3
10
2
10千赫
h
ie
(k)
0
0.01
0.1
1
10
发射极电流I
E
(MA )
-h参数
V
CE
h
fe
I
E
=
2毫安
f
=
270赫兹
T
a
=
25°C
100
h
oe
(S)
10
h
re
(× 10
4
)
h
ie
(k)
1
1
10
100
M
艾因
te
na
nc
e/
Di
sc
on
TIN
ue
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
Pl
解放军d在
ea
NE CLU
se
解放军米德
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n.
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PA OU PE PE
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这样吃
cy
ST网卡
CLE
.CO INF
STA
.JP ORM
ge
/ E
N /蒂奥
.
n.
0
0.1
1
10
1
1
0.1
h
re
(× 10
4
)
1
10
发射极电流I
E
(MA )
发射极电流I
E
(MA )
-h参数
SJC00047BED
3
请求您的特别关注和注意事项使用的技术信息和
在这本书中描述的半导体
(1)
如果任何产品或在这本书中所描述的技术信息将被出口或提供给非本地居民,法律,
出口国家的相关规定,特别是那些在安全方面的出口管制,必须遵守。
( 2 )在这本书中记载的技术信息仅用于展示的主要特点和应用电路示例
的产品,也没有牌照根据本公司或任何其他拥有任何知识产权或其他权利授予
公司。因此,没有责任对任何该等权利以任何其他拥有承担本公司以侵权
这可能因使用本手册中描述的技术信息的结果的公司。
( 3 )在这本书中介绍的产品旨在用于标准的应用程序或一般电子设备(如办公
设备,通讯设备,测量仪器和家用电器) 。
提前为下列应用程序的信息,请咨询我们的销售人员:
–
特殊应用(例如用于飞机,航天,汽车,交通控制设备,燃烧设备,生命支持
系统和安全设备) ,其中优异的质量和可靠性是必需的,或者如果在本产品的失效或故障
UCTS可能直接危害生命或对人体造成伤害。
–
任何应用程序比预期的标准应用程序等。
( 4 )在这本书中介绍的产品及产品规格如有变更,恕不另行通知进行修改和/功能或改进
证法。在您的设计,采购,或者使用的产品的最后阶段,因此,要求的最先进的最新产品
提前的标准,以确保最新的技术规格满足您的要求。
( 5 )在设计你的装备,符合绝对最大额定值的范围和保障的工作条件
(工作电源电压和工作环境等) 。特别是,请注意不要超过绝对范围
最大额定值的过渡状态下,如电源接通,断电和模式切换。否则,我们将不承担任何责任
缺陷可以在你的设备后出现的。
即使产品的保证值范围内使用,考虑到分解,故障发生率的考虑因素
模式下,可能发生对半导体产品。措施对系统,如冗余设计,火势蔓延
或防止毛刺建议为了防止物理损伤,火灾,社会的损害,例如,通过使用该产品。
( 6)使用说明,以防止击穿遵守和特点发生变化,由于外部因素( ESD , EOS ,
热应力和机械应力)在搬运,安装或客户的流程的时间。在使用产品而
防潮包装是必需的,满足该条件,如货架寿命和自第一开口的包所经过的时间。
( 7 )这本书可不能转载或复制全部或部分,没有松下的事先书面许可,
电器实业有限公司
Pl
解放军d在
ea
NE CLU
se
解放军米德
VIS
ht
NE艾马s FO
TP它F
: // OL D D D NTE INTE llow
WW罗是Na
无线合作共同NC的ING
瓦特N N N权证
SE克吴丁锡T E缶
M R UE的UE YP (典型值) ; R P
ICO l D同时D E
e
ro
。 AB典型TY
du
PA瓯ê PE
ct
d
呐T L
生活
这样吃
cy
ST网卡
CLE
.CO INF
STA
.JP ORM
ge
/ E
N /蒂奥
.
n.
M
艾因
te
na
nc
e/
M
迪泉
TE SC
在NA
锡NC
UE E /
d
Di
sc
on
TIN
ue