2SC5755
东芝晶体管NPN硅外延型
2SC5755
高速开关应用
DC- DC转换器应用
频闪的应用
·
·
·
高直流电流增益：H
FE
= 400 1000 （我
C
= 0.2 A)
低集电极 - 发射极饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.12 V（最大值）
高速开关：吨
f
= 25 ns（典型值）。
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
DC
t
=
10 s
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
（注）
T
j
T
英镑
等级
20
10
7
2
3.5
200
500
750
150
-55
150
单位
V
V
V
A
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3S1C
重量0.01克（典型值）。
注：安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积：
2
645 mm )
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
EB
=
7 V，I
C
=
0
I
C
=
10毫安，我
B
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
0.2 A
V
CE
=
2 V，I
C
=
0.6 A
I
C
=
0.6 A，I
B
=
12毫安
I
C
=
0.6 A，I
B
=
12毫安
参见图1电路原理图。
V
CC
≈
6 V ，R
L
=
10
W
I
B1
= -I
B2
=
12毫安
民
10
400
200
典型值。
60
215
25
最大
100
100
1000
0.12
1.10
ns
V
V
单位
nA
nA
V
1
2002-07-22
2SC5755
r
th
– t
w
1000
瞬态热阻
r
号（j -a）的
（ ° C / W）
300
100
30
10
曲线应该在热面积有限施加。
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
2
3
安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积： 645毫米）
1
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
集成电路最大值（脉冲） *
100
女士*
1毫秒*
(A)
3
IC MAX（连续）
集电极电流I
C
1
直流操作
（大
=
25°C)
10毫秒*
0.3
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
0.1 。注意，曲线100毫秒，
10秒和直流操作将是
不同的设备时
是不是安装在FR4
0.03电路板（环氧玻璃， 1.6
2
mm
厚，铜面积： 645毫米） 。
这些特性曲线
必须用线性降额
温度上升。
0.01
0.03
0.3
3
0.1
1
100毫秒*
10 s*
最大VCEO
10
30
100
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
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2002-07-22
2SC5755
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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2002-07-22
2SC5755
东芝晶体管NPN硅外延型
2SC5755
高速开关应用
DC- DC转换器应用
频闪的应用
高直流电流增益：H
FE
= 400 1000 （我
C
= 0.2 A)
低集电极 - 发射极饱和电压： V
CE （SAT）
= 0.12 V（最大值）
高速开关：吨
f
= 25 ns（典型值）。
单位：mm
最大额定值
（大
=
25°C)
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
集电极电源
耗散
结温
存储温度范围
DC
t
=
10 s
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
（注）
T
j
T
英镑
等级
20
10
7
2
3.5
200
500
750
150
55
150
单位
V
V
V
A
mA
mW
°C
°C
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-3S1C
重量0.01克（典型值）。
注：安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积：
2
645 mm )
电气特性
（大
=
25°C)
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
上升时间
开关时间
贮存时间
下降时间
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
(1)
h
FE
(2)
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
t
r
t
英镑
t
f
测试条件
V
CB
=
20 V，I
E
=
0
V
EB
=
7 V，I
C
=
0
I
C
=
10毫安，我
B
=
0
V
CE
=
2 V，I
C
=
0.2 A
V
CE
=
2 V，I
C
=
0.6 A
I
C
=
0.6 A，I
B
=
12毫安
I
C
=
0.6 A，I
B
=
12毫安
参见图1 。
V
CC
≈
6 V ，R
L
=
10
I
B1
= I
B2
=
12毫安
民
10
400
200
典型值。
60
215
25
最大
100
100
1000
0.12
1.10
ns
V
V
单位
nA
nA
V
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r
th
– t
w
1000
瞬态热阻
r
号（j -a）的
（ ° C / W）
300
100
30
10
曲线应该在热面积有限施加。
单一不重复的脉冲
2
3
Ta
=
25°C
安装在FR4电路板（环氧玻璃，厚1.6毫米，铜面积： 645
1
0.001
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
10
集成电路最大值（脉冲） *
100
s*
(A)
3
IC MAX（连续）
1毫秒*
集电极电流I
C
1
直流操作
（大
=
25°C)
10毫秒*
0.3
*:
单一不重复的脉冲
Ta
=
25°C
0.1 。注意，曲线100毫秒，
10秒和直流操作将是
不同的设备时
是不是安装在FR4
0.03电路板（环氧玻璃， 1.6
2
mm
厚，铜面积： 645毫米） 。
这些特性曲线
必须用线性降额
温度上升。
0.01
0.03
0.3
3
0.1
1
100毫秒*
10 s*
最大VCEO
10
30
100
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
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2SC5755
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
030619EAA
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他方式的任何专利或专利权
东芝或其它。
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等）。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
东芝产品不应被嵌入到禁止要生产的下游产品
现卖，根据任何法律和法规。
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